Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия
Для создания промышленной технологии изготовления пленочных солнечных элементов на основе гетероперехода CdTe/CdS была проведена оптимизация процесса формирования пленок хлорида кадмия методом вакуумного резистивного испарения. Установлено, что состав напыленной пленки соответствует гидрохлориду кад...
Збережено в:
Дата: | 2008 |
---|---|
Автори: | Харченко, Н.М., Хрипунов, Г.С., Ли, Т.А. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7893 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Оптимизация технологии “хлоридной” обработки тонких пленок халькогенидов кадмия / Н.М. Харченко, Г.С. Хрипунов, Т.А. Ли // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С.128-133. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Структура и свойства электроосажденных пленок сульфида кадмия
за авторством: Ли, Т.А., та інші
Опубліковано: (2007) -
Исследование структуры и химического состава тонких поликристаллических пленок сульфида кадмия при γ-облучении
за авторством: Голованова, В.В., та інші
Опубліковано: (2015) -
Фотоэлектрохимические свойства модифицированных фотоанодов на основе нанотрубок TiO₂ и халькогенидов кадмия для систем получения фотоводорода
за авторством: Слободянюк, И.А., та інші
Опубліковано: (2013) -
Особенности получения тонких пленок SiO₂ методом быстрой термической обработки
за авторством: Светличный, А.М., та інші
Опубліковано: (2001) -
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)