Radiative processes of amorphization and hydrogenation in monocrystalline silicon
Збережено в:
Дата: | 2001 |
---|---|
Автори: | Dovbnya, A.N., Yefimov, V.P., Dyomin, V.S. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2001
|
Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79034 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Radiative processes of amorphization and hydrogenation in monocrystalline silicon / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, V.S. Dyomin // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 5. — С. 214-216. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2009) -
Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: V. A. Smyntyna, та інші
Опубліковано: (2010) -
Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2010) -
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2013) -
Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon–carbon and nanocrystalline-silicon thin films
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2013)