Features of angular distributions of 1 GeV electrons scattered by thin silicon monocrystal
The result of theoretical and experimental investigations of angular distribution structure of 1 GeV electrons scattered by silicon crystal of 10 mm thickness are presented. The electron beam was falling on the crystal under different angles (from zero to the critical channeling angle) in respect to...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2001
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79420 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Features of angular distributions of 1 GeV electrons scattered by thin silicon monocrystal / S.P. Fomin, S.F. Shcherbak, V.I. Kasilov, N.I. Lapin, N.F. Shul'ga // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 6. — С. 138-143. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |