Orientation effects in ultrarelativistic electron transmission through a single crystal
The results of experimental investigations of the 1.2 GeV electron transmission dynamics in a thin single crystal of Si are discussed. The interpretation of the electron scattering orientation dependencies measured under different scattering angles is carried out. The existence of scattering directi...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2001
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79472 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Orientation effects in ultrarelativistic electron transmission through a single crystal / S.V. Blazhevich, G.L. Bochek, V.I. Kulibaba, N.I. Maslov, B.I. Shramenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 6. — С. 144-146. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |