Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
На основании спада фотонапряжения при возбуждении трехбарьерной фотодиодной Ag-pGaAsnGaAs-Ag-структуры прямоугольным световым импульсом от светодиода с λ= 0,95 мкм определены времена жизни неосновных носителей, квантовая эффективность для заданного напряжения. Расчетные данные показывают, что арсени...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2009
|
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7975 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Б.М. Камонов, Э.Н. Якубов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 3. — С. 252-255. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-7975 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-79752010-04-26T12:01:23Z Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Камонов, Б.М. Якубов, Э.Н. На основании спада фотонапряжения при возбуждении трехбарьерной фотодиодной Ag-pGaAsnGaAs-Ag-структуры прямоугольным световым импульсом от светодиода с λ= 0,95 мкм определены времена жизни неосновных носителей, квантовая эффективность для заданного напряжения. Расчетные данные показывают, что арсенидгаллиевые трехбарьерные фотодиодные структуры благодаря низким значениям емкости обладают высоким частотным диапазоном. На підставі спаду фотонапруги при порушенні трьохбар’єрної фотодіодної nGaAs-Ag-структури прямокутним світловим імпульсом від світлодіода з λ= 0,95 мкм визначені часи життя неосновних носіїв, квантова ефективність для заданої напруги. Розрахункові дані показують, що арсенідгалієві трьохбар’єрної фотодіодної структури завдяки низьким значенням ємності володіють високим частотним діапазоном. On the basis of photovoltage drop at excitation three-barrier photodiode Ag-pGaAs-nGaAs-Agstructure by a rectangular light impulse from the light diode with λ= 0,95 μm the minority carriers lifetimes, quantum efficiency for given voltage are determined. The design data demonstrate that gallium-arsenide three-barrier photodiode structures due to low values of capacity have high frequency band. 2009 Article Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Б.М. Камонов, Э.Н. Якубов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 3. — С. 252-255. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7975 621.315.592 ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
На основании спада фотонапряжения при возбуждении трехбарьерной фотодиодной Ag-pGaAsnGaAs-Ag-структуры прямоугольным световым импульсом от светодиода с λ= 0,95 мкм определены времена жизни неосновных носителей, квантовая эффективность для заданного напряжения. Расчетные данные показывают, что арсенидгаллиевые трехбарьерные фотодиодные структуры благодаря низким значениям емкости обладают высоким частотным диапазоном. |
| format |
Article |
| author |
Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Камонов, Б.М. Якубов, Э.Н. |
| spellingShingle |
Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Камонов, Б.М. Якубов, Э.Н. Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи |
| author_facet |
Ёдгорова, Д.М. Каримов, А.В. Камонов, Б.М. Якубов, Э.Н. |
| author_sort |
Ёдгорова, Д.М. |
| title |
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи |
| title_short |
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи |
| title_full |
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи |
| title_fullStr |
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи |
| title_full_unstemmed |
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи |
| title_sort |
трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2009 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7975 |
| citation_txt |
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Б.М. Камонов, Э.Н. Якубов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 3. — С. 252-255. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT ëdgorovadm trehbarʹernyefotodiodynaosnovesoedinenijarsenidagalliâdlâoptičeskihsistemsvâzi AT karimovav trehbarʹernyefotodiodynaosnovesoedinenijarsenidagalliâdlâoptičeskihsistemsvâzi AT kamonovbm trehbarʹernyefotodiodynaosnovesoedinenijarsenidagalliâdlâoptičeskihsistemsvâzi AT âkubovén trehbarʹernyefotodiodynaosnovesoedinenijarsenidagalliâdlâoptičeskihsistemsvâzi |
| first_indexed |
2023-10-18T16:38:47Z |
| last_indexed |
2023-10-18T16:38:47Z |
| _version_ |
1796139522310799360 |