Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения

Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения

В работе представлены результаты исследования распределения элементного и химического состава по глубине в наноразмерных пленках Cr-O-N, полученных методом ионностимулированного осаждения. Методами оже-электронной и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии показано, что осаждение хрома из паровой...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2009
1. Verfasser: Стервоедов, А.Н.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2009
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7980
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения / А.Н. Стервоедов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 3. — С. 210-215. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-7980
record_format dspace
spelling irk-123456789-79802010-04-26T12:01:19Z Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения Стервоедов, А.Н. В работе представлены результаты исследования распределения элементного и химического состава по глубине в наноразмерных пленках Cr-O-N, полученных методом ионностимулированного осаждения. Методами оже-электронной и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии показано, что осаждение хрома из паровой фазы одновременно с облучением растущей пленки ионами азота с энергией 30 кэВ и плотности тока j = 20 мкА/см2, при температуре подложки Т = 200 °С приводит к формированию градиентной структуры с переходом по глубине пленки от металлического Cr к стехиометрическому CrN с выделениями Cr2N и Cr2O3, концентрация которых уменьшается с увеличением глубины. У роботі представлені результати дослідження розподілу елементного складу і хімічного стану по глибині в нанорозмірних плівках Cr-O-N, отриманих методом іонно-стимулюючого осадження. Методами оже-електронної і рентгенівської фотоелектронної спектроскопії показано, що осадження хрому з парової фази одночасно з опромінюванням зростаючої плівки іонами азоту з енергією 30 кеВ і щільність струму j = 20 мкА/см2, при температурі підкладки Т = 200 °С приводить до формування градієнтної структури з переходом по глибині плівки від металевого Cr до стехиометрічеському CrN з виділеннями Cr2N і Cr2O3, концентрація яких зменшується із збільшенням глибини. У роботі представлені результати дослідження розподілу елементного складу і хімічного стану по глибині в нанорозмірних плівках Cr-O-N, отриманих методом іонно-стимулюючого осадження. Методами оже-електронної і рентгенівської фотоелектронної спектроскопії показано, що осадження хрому з парової фази одночасно з опромінюванням зростаючої плівки іонами азоту з енергією 30 кеВ і щільність струму j = 20 мкА/см2, при температурі підкладки Т = 200 °С приводить до формування градієнтної структури з переходом по глибині плівки від металевого Cr до стехиометрічеському CrN з виділеннями Cr2N і Cr2O3, концентрація яких зменшується із збільшенням глибини. In work the results of research of elements and chemical state depth distribution in nanoscaled Cr-O-N films obtained by ion-beam assisted deposition are presented. By methods of Auger-electron and X-ray photoelectron spectroscopy it was shown that the electron beam deposition of chromium under simultaneous irradiation of growing film by nitrogen ions with 30 keV energy and current density j = 20 μA/cm2 at the substrate temperature T = 200 °С leads to formation of gradient structure with the transition throughout the film depth from metal Cr to stoichiometric CrN with the Cr2N and Cr2O3 inclusions, concentration of which decreases with the depth increasing. 2009 Article Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения / А.Н. Стервоедов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 3. — С. 210-215. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7980 539.121.8.04; 669.14.046 ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В работе представлены результаты исследования распределения элементного и химического состава по глубине в наноразмерных пленках Cr-O-N, полученных методом ионностимулированного осаждения. Методами оже-электронной и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии показано, что осаждение хрома из паровой фазы одновременно с облучением растущей пленки ионами азота с энергией 30 кэВ и плотности тока j = 20 мкА/см2, при температуре подложки Т = 200 °С приводит к формированию градиентной структуры с переходом по глубине пленки от металлического Cr к стехиометрическому CrN с выделениями Cr2N и Cr2O3, концентрация которых уменьшается с увеличением глубины.
format Article
author Стервоедов, А.Н.
spellingShingle Стервоедов, А.Н.
Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения
author_facet Стервоедов, А.Н.
author_sort Стервоедов, А.Н.
title Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения
title_short Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения
title_full Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения
title_fullStr Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения
title_full_unstemmed Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения
title_sort распределение химического состава по глубине в пленках cr-o-n, полученных методом ионно-стимулированного осаждения
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2009
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7980
citation_txt Распределение химического состава по глубине в пленках Cr-O-N, полученных методом ионно-стимулированного осаждения / А.Н. Стервоедов // Физическая инженерия поверхности. — 2009. — Т. 7, № 3. — С. 210-215. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT stervoedovan raspredeleniehimičeskogosostavapoglubinevplenkahcronpolučennyhmetodomionnostimulirovannogoosaždeniâ
first_indexed 2025-07-02T10:44:47Z
last_indexed 2025-07-02T10:44:47Z
_version_ 1836531673730121728
fulltext ФІП ФИП PSE, 2009, т. 7, № 3, vol. 7, No. 3210 ВВЕДЕНИЕ Нитриды переходных металлов обладают уникальной комбинацией физических и химических свойств, к оторые делают их при- влекательными как с научной, так и с техно- логической точки зрения. Прежде всего, это высокие температуры плавления, чрезвычай- но высокая твердость, хорошая электричес- кая и теплопроводность, высокое сопротивле- ние коррозии. Такая комбинация свойств вызвала интенсивные теоретические и экспе- риментальные исследования физических свойств данных материалов, их структуры, природы химических связей, а также изуче- ние возможностей применения материалов на основе переходных металлов в различных отраслях современной науки и техники. УДК 539.121.8.04; 669.14.046 РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ХИМИЧЕСКОГО СОСТАВА ПО ГЛУБИНЕ В ПЛЕНКАХ Cr-O-N, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИОННО-СТИМУЛИРОВАННОГО ОСАЖДЕНИЯ А.Н. Стервоедов Научный физико-технологический центр МОН и НАН Украины (Харьков) Украина Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина Украина Поступила в редакцию 07.08.2009 В работе представлены результаты исследования распределения элементного и химического состава по глубине в наноразмерных пленках Cr-O-N, полученных методом ионно- стимулированного осаждения. Методами оже-электронной и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии показано, что осаждение хрома из паровой фазы одновременно с облучением растущей пленки ионами азота с энергией 30 кэВ и плотности тока j = 20 мкА/см2, при температуре подложки Т = 200 °С приводит к формированию градиентной структуры с переходом по глубине пленки от металлического Cr к стехиометрическому CrN с выделениями Cr2N и Cr2O3, концентрация которых уменьшается с увеличением глубины. Ключевые слова: нитрид хрома, оксинитрид хрома, наноразмерные пленки, ионно- стимулированное осаждение, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС). У роботі представлені результати дослідження розподілу елементного складу і хімічного стану по глибині в нанорозмірних плівках Cr-O-N, отриманих методом іонно-стимулюючого осадження. Методами оже-електронної і рентгенівської фотоелектронної спектроскопії показано, що осадження хрому з парової фази одночасно з опромінюванням зростаючої плівки іонами азоту з енергією 30 кеВ і щільність струму j = 20 мкА/см2, при температурі підкладки Т = 200 °С приводить до формування градієнтної структури з переходом по глибині плівки від металевого Cr до стехиометрічеському CrN з виділеннями Cr2N і Cr2O3, концентрація яких зменшується із збільшенням глибини. Ключові слова: нітрід хрому, оксинітрід хрому, нанорозмірні плівки, осадження, що іонний- стимулює, рентгенівська фотоелектронна спектроскопія (РФЕС). In work the results of research of elements and chemical state depth distribution in nanoscaled Cr-O-N films obtained by ion-beam assisted deposition are presented. By methods of Auger-electron and X-ray photoelectron spectroscopy it was shown that the electron beam deposition of chromium under simultaneous irradiation of growing film by nitrogen ions with 30 keV energy and current density j = 20 µA/cm2 at the substrate temperature T = 200 °С leads to formation of gradient structure with the transition throughout the film depth from metal Cr to stoichiometric CrN with the Cr2N and Cr2O3 inclusions, concentration of which decreases with the depth increasing. Keywords: Chromium nitride, Chromium oxynitride, nanoscaled films, Ion-beam assisted deposition (IBAD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). ФІП ФИП PSE, 2009, т. 7, № 3, vol. 7, No. 3 211 Нитрид хрома является наиболее исследо- ванным среди нитридов металлов VI группы с точки зрения износостойкости. Наряду с нитридом титана, нитрид хрома используется в качестве износо- и коррозионностойких по- крытий, обладая твердостью сравнимой с твердостью покрытий TiN, но меньшим ко- эффициентом трения и большей стойкостью к окислению при температурах выше 600 °С [1]. В последнее время, помимо механичес- ких свойств, нитрид хрома стал привлекать внимание своими магнитными, оптическими и электрическими свойствами. Среди нитри- дов переходных металлов, CrN обладает уни- кальной антиферромагнитной конфигура- цией [2]. При комнатной температуре CrN является парамагнетиком с B1 NaCl кристал- лической структурой и параметром решетки а = 4,14А. При охлаждении ниже темпера- туры Нееля (Nйel temperature), которая нахо- дится в диапазоне 273 – 283 K, материал под- вергается фазовому переходу в антиферро- магнитное состояние с орторомбической Pnma кристаллической структурой. Авторы в работе [3], теоретически показали, что ма- гнитное напряжение является причиной ис- кажений решетки, и таким образом связали магнитные и структурные переходы. В то время как структурные и магнитные свойства CrN были установлены эксперимен- тально и теоретически, наблюдалась некото- рая неопределенность в электрических свой- ствах. В работе [4], основываясь на теорети- ческих расчетах, было показано, что CrN-ме- талл в его парамагнитном состоянии, но сла- бый металл в антиферромагнитном. Это хоро- шо согласовывается с более ранней экспери- ментальной работой [5], в которой было по- казано металлическое поведение CrN, но с ре- зким увеличением удельного сопротивления с увеличением температуры при Т ∼ 286 К. С другой стороны, в работе [6], основываясь на синтезируемых порошках CrN, было показа- но, что данный материал является полупрово- дником с шириной запрещенной зоны 90 мэВ. В работе [7], были получены кристалличес- кие пленки CrN методом магнетронного рас- пыления и показано, что CrN ведет себя как полупроводник (изолятор Мотта) с оптичес- ким промежутком 0.7 эВ. На рис. 1 представлен один из результатов исследования структурных и электронных свойств CrN (001) [8]. Авторами, методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МБЭ), бы- ли получены высококачественные эпитаксиа- льные слои с кристаллической ориентацией (001) и атомарно гладкой поверхностью (из- мерено методом сканирующей туннельной микроскопии). В исследованиях были под- тверждены полупроводниковые свойства пле- нок CrN при температуре большей 300 K, но переход к металлическому состоянию наблю- дался при Т = 285 K. Этот переход происходил в том же самом температурном диапазоне, что и известные ранее магнитный и структурный переходы и все три перехода коррелированны между собой. Кроме этого наблюдался гисте- резис в зависимости удельного сопротивле- ния от температуры шириной 20 K. Вполне возможно одной из причин коли- чественных расхождений в значениях темпе- ратурных переходов электронных свойствах пленок CrN в выше приведенных работах мо- гут быть вариации химического состава и раз- личные концентрации азота. В работе [9], где приводятся результаты исследования элект- рических, оптических и механических свойств поликристаллических тонких пленок CrNу в диапазоне 0,93 < y < 1,15, показано, что субстехиометрические пленки имеют электрическое удельное сопротивление, и оптические свойства, соответствующие ме- таллам (как с парамагнитно – антиферромаг- нитным фазовым переходом, так и без него), в то время как сверхстехиометрические плен- Рис. 1. Зависимость удельного сопротивления от тем- пературы для пленок нитрида хрома [8]. А.Н. СТЕРВОЕДОВ ФІП ФИП PSE, 2009, т. 7, № 3, vol. 7, No. 3212 РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ХИМИЧЕСКОГО СОСТАВА ПО ГЛУБИНЕ В ПЛЕНКАХ Cr-O-N, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ... ки показывают полупроводниковое поведе- ние. Механические свойства тонких пленок нитрида хрома также чрезвычайно чувстви- тельны к содержанию азота и структурным особенностям. Это продемонстрировано, на- пример, в работе [10], где приведена сильная функциональная зависимость микротвердо- сти пленок CrNx от количества азота. Другая вероятная причина расхождения в свойствах получаемых пленок нитрида хрома – влияние элементов остаточной атмосферы во время формирования. Особенно это актуа- льно при ионно-плазменном и ионно-лучевом синтезе, когда происходят радиационно-сти- мулированные процессы взаимодействия эле- ментов остаточной вакуумной среды с по- верхностью пленки. Находясь в зоне радиа- ционного воздействия, данные элементы мо- гут неконтролируемо формировать широкий спектр химических соединений, влияющих на свойства создаваемых структур. Таким образом, из анализа приведенных выше работ следует, что при отработке техно- логии синтеза структур на основе нитрида хрома с заранее заданными свойствами необ- ходимы комплексные исследования химичес- кого состава получаемых пленок. Также сле- дует изучить распределение элементов и их химических соединений по глубине структу- ры при различных условиях синтеза. Целью данной работы явились комплексные иссле- дования распределения элементного состава и изменения химического состояния по глу- бине синтезируемых наноразмерных Cr-O-N пленок, полученных методом ионно-стиму- лированного осаждения. МЕТОДЫ ПРИГОТОВЛЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ОБРАЗЦОВ Пленки Cr-O-N толщиной ≈100нм были по- лучены методом ионно-стимулированного осаждения [11]. Хром чистотой 99,98% ис- парялся из электронно-лучевого испарителя в условиях одновременной бомбардировки ионами азота с энергией N+ E = 30 кэВ и с плотностью ионного тока 20 мкА/см2. Тем- пература подложки Тs = 200 °С. Скорость осаждения находилась в пределах 0,05 – 0,1 нм/сек и измерялись методом кварцевого ре- зонатора. Для этого был задействован, раз- работанный многоканальный микроконтрол- лерный кварцевый измеритель скорости на- несения пленки и скорости распыления КИТ – 3М. Кварцевые датчики прибора крепи- лась на расстоянии 5 см от образца на водоох- лаждаемых держателях. Для коррекции тем- пературной погрешности измерения в один из каналов вводилась хромель-алюмелевая микротермопара. Вакуум в камере составлял 5⋅10–4 Па и создавался безмасляными средст- вами откачки. При включении источника ионов, вследствие напуска газа в его разряд- ную камеру, вакуум в рабочей камере ухуд- шался за счет азота до 4⋅10–3 Па. Для исследования полученных нанораз- мерных тонкопленочных структур были ис- пользованы поверхностно чувствительные методы анализа, такие как рентгеновская фо- тоэлектронная спектроскопия (РФЭС) и Оже- электронная спектроскопия. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, благодаря своей информативности и превосходной эле- ментной чувствительности, является одним из немногих инструментов для комплексного исследования ультратонких покрытий [12 – 14]. Анализ спектров эмиссии оже-электро- нов, вызванной рентгеновским излучением, и вычисление параметров Вагнера, в допол- нение к данным фотоэмиссии с остовных уровней и вычислению химических сдвигов, обеспечивают точную идентификацию хими- ческого состояния тонких пленок [15]. Ваку- ум в измерительной камере во время регист- рации спектров эмитированных с поверхнос- ти фотоэлектронов составлял не менее 6,5⋅10–8 Па. Спектры снимались преимущест- венно с использованием рентгеновского излу- чения Mg-Kα (энергия возбуждающих фото- нов 1253,6 эВ). Перед исследованием полу- ченных пленок спектрометр РФЭС калибро- вался на золотом образце по положению пика фотоэмиссии с остовного уровня 4f7/2 золота. Для послойного анализа исследуемых объектов был установлен плазменный ион- ный источник с холодным катодом и уст- ройства для его юстировки и контроля пара- метров ионного пучка. Для прецизионного измерения ионного тока и контроля распре- деления его плотности по сечению пучка в исследовательскую камеру был инсталлиро- ФІП ФИП PSE, 2009, т. 7, № 3, vol. 7, No. 3 213 ван разработанный специально для этих из- мерений цилиндр Фарадея с выходом сигнала на микроконтроллерный интегратор. Допол- нительно процесс послойного стравливания мог контролироваться методом кварцевых ве- сов в дифференциальном режиме. Кроме это- го, в аналитической камере исследуемый об- разец закреплялся на манипуляторе, который помимо горизонтальных перемещений мог вращаться вокруг своей оси. Это позволило, изменяя угол положения образца к анализа- тору во время РФЭС измерений менять глу- бину выхода вторичных электронов и таким образом осуществлять неразрушающий по- слойный анализ образца в пределах несколь- ких нанометров. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ На рис. 2 представлены результаты исследо- вания методом оже-электронной спектроско- пии поверхности образца после ионно-сти- мулированного осаждения хрома. Как видно из оже-спектров, в результате облучения ма- териала высокоэнергетическими ионами про- исходит усиленная адсорбция на поверхности газовых молекул из остаточной атмосферы вакуумной камеры, что, в данном случае, при- вело к насыщению образцов кислородом. Ра- нее, в работе [16], проводились сравнитель- ные исследования радиационно-стимулиро- ванных процессов насыщения поверхност- ных слоев образцов при ионной имплантации и ионно-стимулируемом осаждении. Было показано уменьшение концентрации кисло- рода в пленках полученных методом ионно- стимулированного осаждения по сравнению с ионной имплантацией. Также, обращает на себя внимание тот факт что, несмотря на интенсивное облуче- ние ионами азота, присутствие азота в по- верхностном слое пленки едва заметно. По- следнее обстоятельство объясняется тем, что ионно-стимулируемое осаждение проходит в условиях, когда граница растущей пленки движется в сторону ионного пучка. Ввиду то- го, что проективный пробег ионов азота с энергией 30 кэВ в хроме равняется ≈30 нм, на поверхности пленки остается зона с очень низким содержанием азота. На рис. 3 представлены РФЕС спектры фотоэмиссии остовних уровней 2p хрома и 1s азота образцов Cr-O-N на глубине ∼ 20нм Рис. 2. Данные оже-электронной спектроскопии по- верхности пленки Cr-O-N после ионно-стимулирован- ного осаждения. Рис. 3. РФЭС спектры фотоэмиссии остовного уровня 2p хрома (сверху) и 1s азота (снизу) на глубине ~20нм (а) и ~50 нм (б). А.Н. СТЕРВОЕДОВ ФІП ФИП PSE, 2009, т. 7, № 3, vol. 7, No. 3214 РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ХИМИЧЕСКОГО СОСТАВА ПО ГЛУБИНЕ В ПЛЕНКАХ Cr-O-N, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ... и ∼ 50нм. Как видно из РФЕС спектров, что уже на глубине пленки ∼ 20нм достигается не- обходимая концентрация внедренных ионов азота в решетке хрома для формирования сте- хиометрического CrN с выделениями Cr2N, где локальная концентрация азота не доста- точна для формирования стехиометричного CrN. С увеличением глубины концентрация внедренного азота увеличивается, что приво- дит к уменьшению концентрации фазы Cr2N. Также, заметно уменьшение фазы Cr2O3 с глу- биной. Данное обстоятельство связанно с тем, что во время роста пленки и движения границы поверхности пленки в сторону ион- ного пучка, уменьшается поступление эле- ментов остаточной атмосферы вакуумной ка- меры в глубинные слои пленки. В то же вре- мя, сформированный в данных слоях оксид хрома продолжает находиться под воздейст- вием интенсивного облучения, которое при- водит к его распылению и уменьшению кон- центрации оксида в пленке хрома с увеличе- нием глубины. Таким образом, наблюдается формирова- ние градиентной структуры с изменением хи- мического состава, и соответственно физи- ческих свойств материала по глубине. Кроме этого, присутствие кислорода в CrN приводит к многообещающему функциональному диа- пазону материалов с контролируемым отно- шением N/O. Как было показано ранее, в за- висимости от стехиометрии CrNx показывает металлический характер проводимости (ρ ≈ 6,4⋅10–4 Ωсм, при х ≈ 0,93) или полу- проводниковый (ρ > 1⋅10–2 Ωсм, при х ≈ 1,06) [9]. Оксид хрома (Cr2O3) является полупро- водником с широкой запрещенной зоной (Eg ≈ 4 eV, ρ >> 1 Ωсм). Объединение обоих материалов в оксинитрид хрома дает возмож- ность изменять ширину запрещенной зоны, меняя, электрические свойства в широких пределах и, таким образом, открывать новые возможности функционального применения этого материала. Так, в работе [17], градиент- ные пленки оксинитрида хрома, полученные методом магнетронного распыления, иссле- довались в качестве спектрально селектив- ных поглотителей для фототермического пре- образования энергии. Другое возможное при- менение оксинитрида хрома – использование в качестве температурно-зависимых резисто- ров в тепловых радиационных детекторах [18]. ВЫВОДЫ Методами оже-электронной и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии проведено исследование радиационно-стимулируемых процессов накопления элементов остаточной вакуумной среды и влияния внедрения высо- коэнергетических ионов на элементный сос- тав и химическое состояние наноразмерных пленок Cr-O-N, полученных методом ионно- стимулируемого осаждения. Показано, что осаждение хрома из паровой фазы одновре- менно с облучением растущей пленки ионами азота с энергией 30 кэВ и плотности тока j = 20 мкА/см2, при температуре подложки Т = 200 °С приводит к формированию гра- диентной структуры с переходом по глубине пленки от металлического Cr к стехиометри- ческому CrN с выделениями Cr2N и Cr2O3, концентрация которых уменьшается с увели- чением глубины. БЛАГОДАРНОСТИ Автор выражает благодарность д.т.н. Гуг- ле А.Г. (ННЦ “ХФТИ”), за предоставленные образцы для исследований и полезные обсуж- дения результатов эксперимента, а также д. т. н. Бересневу В.М. и к. ф-м. н. Фарени- ку В.И. (НФТЦ МОН и НАН Украины) за по- лезные замечания. ЛИТЕРАТУРА 1. Okafor I.C.I., Reddy R.G. The Oxidation Beha- vior of High-Temperature Aluminides//JOM. – Vol. 51, No.6. – P. 35. 2. Corliss L.M., Elliott N., and Hastings J.M. Anti- ferromagnetic Structure of CrN//Phys. Rev. – 1960. – Vol. 117. – P. 929-935. 3. Filippetti A., Pickett W.E., Klein B.M. Compe- tition between magnetic and structural transitions in CrN//Phys. Rev.–1999.– B 59. – Р. 7043-7050. 4. Alessio Filippetti and Nicola A. Hill. Magnetic Stress as a Driving Force of Structural Distor- tions: The Case of CrN//Phys. Rev. Lett. – 2000. – Vol. 85. – Р. 5166-5169. 5. Browne J.D., Liddell P.R., Street R., Mills T. An investigation of the antiferromagnetic transition of CrN//Phys. Status Solidi. – 1970. – Vol. 1. – P. 715-723. ФІП ФИП PSE, 2009, т. 7, № 3, vol. 7, No. 3 215 6. Herle P.S., Hedge M.S., Vasathacharya N.Y., Philip S., Rao M.V.R., Sripathi T. Synthesis of TiN, VN, and CrN from Ammonolysis of TiS2, VS2, and Cr2S3//J. Solid State Chem. – 1997. – Vol. 134. – P. 120. 7. Gall D., Shin C.S., Haasch R.T., Petrov I., Greene J.E. Growth of single-crystal CrN on MgO(001): Effects of low-energy ion-irradiation on surface morphological evolution and physical properties//J. Appl. Phys. 2002. – Vol. 91. – P. 5882. 8. Costel Constantin, Haider M.B., David Ingram, Arthur R. Smith. Metal/semiconductor phase transition in chromium nitride (001) grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy// App. Phys. Let.– 2004. – Vol. 85.– P. 6371-6373. 9. Martinez E., Sanjinйs R., Banakh O., Lйvy F. Electrical, optical and mechanical properties of sputtered CrNy and Cr1"xSixN1.02 thin films//Thin Solid Films.–2004.– Vol. 447-448. – P. 332-336. 10. Bertrand G., Savall C., Meunier C. Properties of reactively RF magnetron-sputtered chromium nitride coatings//Surface and Coatings Techno- logy. – 1997. – Vol. 96, Issues 2-3. – P. 323-329 11. Гугля А.Г., Малыхин Д.Г., Марченко И.Г., Неклюдов И.М. Методические аспекты фор- мирования двухкомпонентных материалов с использованием имплантационно-стимулиру- ющей технологии//Металлофизика и новей- шие технологии. – 2002. – Т. 24, № 9. – С. 1295-1304. 12. Bertoti I. Characterization of nitride coatings by XPS//Surf. and Coat. Techn. – 2002. – Vol. 151- 152. – P.194-203. 13. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности/Пер. с англ. – М.: Мир, 1987. – 564 с. 14. Анализ поверхности методами оже- и рент- геновской фотоэлектронной спектроскопии/ Пер. с англ., под ред. Д. Бриггса и М.П. Сиха. – М.: Мир, 1987. – 600 с. 15. Moretti G. Auger parameter and Wagner plot in the characterization of chemical states by X-ray photoelectron spectroscopy: a review//Jour. of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. – 1998. – Vol. 95. – P. 95-144. 16. Guglya A.,Virich V., Styervoyedov A., Silkin M. Distribution of Interstitial Impurities in Chro- mium Coating, Obtained by Ion Beam Assisted Deposition//Phys. Surf. Engineering. –2003. – Vol. 1, №1. – P. 56-58. 17. Nunes C., Teixeirа V., Prates M.L., Barradas N.P. and Sequeira A.D. Graded selective coatings ba- sed on chromium and titanium oxynitride//Thin Solid Films. – 2003. – Vol. 442, Issues 1-2. – P. 173-178. 18. Mientus R., Greotschel R., Ellmer K. Optical and electronic properties of CrOxNy films, deposited by reactive DC magnetron sputtering in Ar/N2/ O2(N2O) atmospheres//Surf. and Coat. Tech. – 2005. – Vol. 200, Issues 1-4. – P. 341-345.  А.Н. Стервоедов, 2009 Стервоедов Андрей Николаевич – научный сотрудник НФТЦ, соискатель кафедры физических технологий, научный сотрудник НИЛ ДПТП (по совместительству). А.Н. СТЕРВОЕДОВ

Ähnliche Einträge