Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами
Damaging processes of silicon and silicon detectors, radiation damaging peculiarity of silicon and silicon detectors by conditions of electromagnetic showers development are considered in the work. Experimental results of silicon radiation damaging efficiency by electromagnetic showers, which ar...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2002
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79870 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами / Н.И. Маслов, И.М. Неклюдов // Вопросы атомной науки и техники. — 2002. — № 6. — С. 53-59. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Damaging processes of silicon and silicon detectors, radiation damaging peculiarity of silicon and silicon detectors by conditions
of electromagnetic showers development are considered in the work. Experimental results of silicon radiation damaging
efficiency by electromagnetic showers, which are developed from initial electrons with energy 220, 500 and 1000 MeV are presented.
Peculiarity of damages creation in detector was studied. It was shown, that radiation damaging efficiency in the bulk detector
material may be different then radiation damaging efficiency in initial silicon with identical characteristics. |
|---|