Сравнение дистилляционного и кристаллизационного рафинирования некоторых систем основа–примесь
Установлен аналитический вид зависимости выхода g, при котором дистилляция и нормальная направленная кристаллизация двойной системы имеют одинаковую эффективность от коэффициентов распределения: g = α1/(k-1) при α < 1, k > 1 и g = k1/(α-1) при α > 1, k < 1 (α и k – коэффициенты межфазово...
Збережено в:
| Видавець: | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2014
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79906 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Сравнение дистилляционного и кристаллизационного рафинирования некоторых систем основа–примесь /А.И. Кравченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 1. — С. 46-47. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Установлен аналитический вид зависимости выхода g, при котором дистилляция и нормальная направленная кристаллизация двойной системы имеют одинаковую эффективность от коэффициентов распределения: g = α1/(k-1) при α < 1, k > 1 и g = k1/(α-1) при α > 1, k < 1 (α и k – коэффициенты межфазового распределения примеси при дистилляции и при кристаллизации соответственно). Вычислены значения g для ряда систем основа–примесь: Ge-Al, Тe-Se, Тe-Pb, Ge-Be, Ge-Si, Ge-Ga, Ge-As, Ge-B, Zn-Cd (< 0,1; ≈ 0,1; ≈ 0,5; ≈ 0,6; ≈ 0,7; ≈ 0,7; ≈ 0,8; ≈ 0,8 и ≈ 0,8 соответственно). |
|---|