Сравнение дистилляционного и кристаллизационного рафинирования некоторых систем основа–примесь
Установлен аналитический вид зависимости выхода g, при котором дистилляция и нормальная направленная кристаллизация двойной системы имеют одинаковую эффективность от коэффициентов распределения: g = α1/(k-1) при α < 1, k > 1 и g = k1/(α-1) при α > 1, k < 1 (α и k – коэффициенты межфазово...
Збережено в:
| Видавець: | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2014
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79906 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Сравнение дистилляционного и кристаллизационного рафинирования некоторых систем основа–примесь /А.И. Кравченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 1. — С. 46-47. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-79906 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-799062015-04-09T03:01:51Z Сравнение дистилляционного и кристаллизационного рафинирования некоторых систем основа–примесь Кравченко, А.И. Чистые материалы и вакуумные технологии Установлен аналитический вид зависимости выхода g, при котором дистилляция и нормальная направленная кристаллизация двойной системы имеют одинаковую эффективность от коэффициентов распределения: g = α1/(k-1) при α < 1, k > 1 и g = k1/(α-1) при α > 1, k < 1 (α и k – коэффициенты межфазового распределения примеси при дистилляции и при кристаллизации соответственно). Вычислены значения g для ряда систем основа–примесь: Ge-Al, Тe-Se, Тe-Pb, Ge-Be, Ge-Si, Ge-Ga, Ge-As, Ge-B, Zn-Cd (< 0,1; ≈ 0,1; ≈ 0,5; ≈ 0,6; ≈ 0,7; ≈ 0,7; ≈ 0,8; ≈ 0,8 и ≈ 0,8 соответственно). Установлено аналітичний вид залежності виходу g, при якому дистиляція i нормальна направлена кристалізація подвійної системи мають однакову ефективність від коефіцієнтів розподілу: g = α1/(k-1) при α < 1, k > 1 і g = k1/(α-1) при α > 1, k < 1 (α і k – коефiцiєнти міжфазового розподiлу домiшки при дистиляцiї та кристалізації відповідно). Розрахованi значення g для ряду систем основа–домiшка: Ge-Al, Тe-Se, Тe-Pb, Ge-Be, Ge-Si, Ge-Ga, Ge-As, Ge-B, Zn-Cd (< 0,1; ≈ 0,1; ≈ 0,5; ≈ 0,6; ≈ 0,7; ≈ 0,7; ≈ 0,8; ≈ 0,8 і ≈ 0,8 відповідно). The analytic view of the yield g (when the efficiency of distillation and normal directional crystallization are equal) from coefficients of distribution have been ascertained: g = α1/(k-1) at α < 1, k > 1 and g = k1/(α-1) at α > 1, k < 1 (α and k are coefficients of distribution at distillation and crystallization correspondingly). The values of g for line of systems (Ge-Al, Тe-Se, Тe-Pb, Ge-Be, Ge-Si, Ge-Ga, Ge-As, Ge-B, Zn-Cd) have been calculated (< 0,1; ≈ 0,1; ≈ 0,5; ≈ 0,6; ≈ 0,7; ≈ 0,7; ≈ 0,8; ≈ 0,8 и ≈ 0,8 correspondingly). 2014 Article Сравнение дистилляционного и кристаллизационного рафинирования некоторых систем основа–примесь /А.И. Кравченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 1. — С. 46-47. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79906 541:54.058 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Чистые материалы и вакуумные технологии Чистые материалы и вакуумные технологии |
| spellingShingle |
Чистые материалы и вакуумные технологии Чистые материалы и вакуумные технологии Кравченко, А.И. Сравнение дистилляционного и кристаллизационного рафинирования некоторых систем основа–примесь Вопросы атомной науки и техники |
| description |
Установлен аналитический вид зависимости выхода g, при котором дистилляция и нормальная направленная кристаллизация двойной системы имеют одинаковую эффективность от коэффициентов распределения: g = α1/(k-1) при α < 1, k > 1 и g = k1/(α-1) при α > 1, k < 1 (α и k – коэффициенты межфазового распределения примеси при дистилляции и при кристаллизации соответственно). Вычислены значения g для ряда систем основа–примесь: Ge-Al, Тe-Se, Тe-Pb, Ge-Be, Ge-Si, Ge-Ga, Ge-As, Ge-B, Zn-Cd (< 0,1; ≈ 0,1; ≈ 0,5; ≈ 0,6; ≈ 0,7; ≈ 0,7; ≈ 0,8; ≈ 0,8 и ≈ 0,8 соответственно). |
| format |
Article |
| author |
Кравченко, А.И. |
| author_facet |
Кравченко, А.И. |
| author_sort |
Кравченко, А.И. |
| title |
Сравнение дистилляционного и кристаллизационного рафинирования некоторых систем основа–примесь |
| title_short |
Сравнение дистилляционного и кристаллизационного рафинирования некоторых систем основа–примесь |
| title_full |
Сравнение дистилляционного и кристаллизационного рафинирования некоторых систем основа–примесь |
| title_fullStr |
Сравнение дистилляционного и кристаллизационного рафинирования некоторых систем основа–примесь |
| title_full_unstemmed |
Сравнение дистилляционного и кристаллизационного рафинирования некоторых систем основа–примесь |
| title_sort |
сравнение дистилляционного и кристаллизационного рафинирования некоторых систем основа–примесь |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2014 |
| topic_facet |
Чистые материалы и вакуумные технологии |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79906 |
| citation_txt |
Сравнение дистилляционного и кристаллизационного рафинирования некоторых систем основа–примесь /А.И. Кравченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2014. — № 1. — С. 46-47. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT kravčenkoai sravneniedistillâcionnogoikristallizacionnogorafinirovaniânekotoryhsistemosnovaprimesʹ |
| first_indexed |
2023-10-18T19:19:45Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:19:45Z |
| _version_ |
1796146619744256000 |