Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка
Исследовано влияние облучения электронами с энергией 90 МэВ в интервале флюенсов 10⁹…101¹⁶ эл/см² на микрохрупкость селенида цинка n-типа со структурой сфалерита. Установлено, что облучение вызывает увеличение длин трещин при постоянной нагрузке. В интервале флюенсов 10⁹…10¹³ эл/см² наблюдалось повы...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2002
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80082 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка / А.В. Мазилов, В.П. Мигаль, В.А. Стратиенко, Е.И. Луговская // Вопросы атомной науки и техники. — 2002. — № 3. — С. 44-47. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Исследовано влияние облучения электронами с энергией 90 МэВ в интервале флюенсов 10⁹…101¹⁶ эл/см² на микрохрупкость селенида цинка n-типа со структурой сфалерита. Установлено, что облучение вызывает увеличение длин трещин при постоянной нагрузке. В интервале флюенсов 10⁹…10¹³ эл/см² наблюдалось повышение критичеcкой нагрузки, при которой образовывались трещины. Показано, что доминирующее влияние на механические свойства селенида цинка оказывают кластеры дефектов, для образования которых требуется энергия выше 400 эВ. |
|---|