Редкоземельные ферромагнетики – базовые материалы для магнитных концентраторов в криогенных магнитных системах
Анализируются результаты экспериментальных исследований по литературным источникам возможности использования низкотемпературных редкоземельных ферромагнетиков (Ho, Dy, Gd, Тd, Er) в качестве концентратора магнитного потока для получения сильных стационарных магнитных полей в сверхпроводящих соленоид...
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2006
|
Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80140 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Редкоземельные ферромагнетики – базовые материалы для магнитных концентраторов в криогенных магнитных системах / А.С. Булатов // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 20-27. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Анализируются результаты экспериментальных исследований по литературным источникам возможности использования низкотемпературных редкоземельных ферромагнетиков (Ho, Dy, Gd, Тd, Er) в качестве концентратора магнитного потока для получения сильных стационарных магнитных полей в сверхпроводящих соленоидах. На примере диспрозия показана перспективность метода холодной гидроэкструзии РЗМ с последующей термообработкой для создания благо- приятной текстуры деформации с целью улучшения магнитных характеристик. Величина намагниченности текстурированного диспрозия в полях выше 5 Тл составляет 98% от намагниченности насыщения монокристалла. Приведена эффективная конструкция магнитного концентратора, изготовленного из текстурированного диспрозия, дающая индукцию насыщения в пределах 5...7,6 Тл. Однородность магнитного поля на уровне 10⁻⁴ . |
---|