Редкоземельные ферромагнетики – базовые материалы для магнитных концентраторов в криогенных магнитных системах

Анализируются результаты экспериментальных исследований по литературным источникам возможности использования низкотемпературных редкоземельных ферромагнетиков (Ho, Dy, Gd, Тd, Er) в качестве концентратора магнитного потока для получения сильных стационарных магнитных полей в сверхпроводящих соленоид...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Дата:2006
Автор: Булатов, А.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2006
Назва видання:Вопросы атомной науки и техники
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80140
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Редкоземельные ферромагнетики – базовые материалы для магнитных концентраторов в криогенных магнитных системах / А.С. Булатов // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 20-27. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Анализируются результаты экспериментальных исследований по литературным источникам возможности использования низкотемпературных редкоземельных ферромагнетиков (Ho, Dy, Gd, Тd, Er) в качестве концентратора магнитного потока для получения сильных стационарных магнитных полей в сверхпроводящих соленоидах. На примере диспрозия показана перспективность метода холодной гидроэкструзии РЗМ с последующей термообработкой для создания благо- приятной текстуры деформации с целью улучшения магнитных характеристик. Величина намагниченности текстурированного диспрозия в полях выше 5 Тл составляет 98% от намагниченности насыщения монокристалла. Приведена эффективная конструкция магнитного концентратора, изготовленного из текстурированного диспрозия, дающая индукцию насыщения в пределах 5...7,6 Тл. Однородность магнитного поля на уровне 10⁻⁴ .