Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель
Методами каналирования и математического моделирования исследованы профили распределения нарушений, создаваемых в Ni при облучении ионами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ с энергией 0.2...1 МэВ в интервале доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Определены местоположение имплантированных атомов Хе в решетке монокристалла Ni, и...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2006
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80145 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель / Г.Д. Толстолуцкая, И.Е. Копанец, И.М. Неклюдов, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 52-59. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-80145 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-801452015-04-13T03:01:55Z Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель Толстолуцкая, Г.Д. Копанец, И.Е. Неклюдов, И.М. Марченко, И.Г. Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Методами каналирования и математического моделирования исследованы профили распределения нарушений, создаваемых в Ni при облучении ионами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ с энергией 0.2...1 МэВ в интервале доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Определены местоположение имплантированных атомов Хе в решетке монокристалла Ni, их взаимодействие с радиационными дефектами, кинетика образования примесных комплексов и их конфигурация. Методами каналювання й математичного моделювання досліджені профілі розподілу пошкоджень, створюваних в Nі при опроміненні іонами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ з енергією 0.2...1 МэВ в інтервалі доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Визначено місце розташування імплантованих атомів Хе в ґратах монокристалла Ni, їхня взаємодія з радіаційними дефектами, кінетика утворення примесных комплексів і їхня конфігурація. By the methods of channeling and mathematical simulation the distribution profiles of damage produced in Ni under irradiation by ions of He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ with energy 0.2…1 MeV in the range of doses 1·10¹⁵…1·10¹⁷ cm⁻². are investigated. Location of implanted atoms of Xe in Ni monocrystal lattice is determined, their interaction with radiation defects, kinetics of impurity complexes formation and their configuration are defined. 2006 Article Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель / Г.Д. Толстолуцкая, И.Е. Копанец, И.М. Неклюдов, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 52-59. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1562-6016 УДК 669.017:539.16 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80145 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| spellingShingle |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах Толстолуцкая, Г.Д. Копанец, И.Е. Неклюдов, И.М. Марченко, И.Г. Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель Вопросы атомной науки и техники |
| description |
Методами каналирования и математического моделирования исследованы профили распределения нарушений, создаваемых в Ni при облучении ионами He⁺, Ar⁺, Kr⁺, Xe⁺ с энергией 0.2...1 МэВ в интервале доз 1·10¹⁵…1·10¹⁷ см⁻². Определены местоположение имплантированных атомов Хе в решетке монокристалла Ni, их взаимодействие с радиационными дефектами, кинетика образования примесных комплексов и их конфигурация. |
| format |
Article |
| author |
Толстолуцкая, Г.Д. Копанец, И.Е. Неклюдов, И.М. Марченко, И.Г. |
| author_facet |
Толстолуцкая, Г.Д. Копанец, И.Е. Неклюдов, И.М. Марченко, И.Г. |
| author_sort |
Толстолуцкая, Г.Д. |
| title |
Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель |
| title_short |
Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель |
| title_full |
Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель |
| title_fullStr |
Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель |
| title_full_unstemmed |
Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель |
| title_sort |
профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2006 |
| topic_facet |
Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80145 |
| citation_txt |
Профили дефектов, распределение и местоположение гелия, аргона, криптона и ксенона, ионно-имплантированных в никель / Г.Д. Толстолуцкая, И.Е. Копанец, И.М. Неклюдов, И.Г. Марченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2006. — № 4. — С. 52-59. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT tolstoluckaâgd profilidefektovraspredelenieimestopoloženiegeliâargonakriptonaiksenonaionnoimplantirovannyhvnikelʹ AT kopanecie profilidefektovraspredelenieimestopoloženiegeliâargonakriptonaiksenonaionnoimplantirovannyhvnikelʹ AT neklûdovim profilidefektovraspredelenieimestopoloženiegeliâargonakriptonaiksenonaionnoimplantirovannyhvnikelʹ AT marčenkoig profilidefektovraspredelenieimestopoloženiegeliâargonakriptonaiksenonaionnoimplantirovannyhvnikelʹ |
| first_indexed |
2023-10-18T19:20:19Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:20:19Z |
| _version_ |
1796146645238284288 |