Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films
The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the breakdown regime development.
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2004
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80553 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 5. — С. 126-128. — Бібліогр.: 2 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-80553 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-805532015-04-19T03:02:36Z Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films Andreyeva, N.V. Virchenko, Yu.P. Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the breakdown regime development. Проведено аналiз нерухомих точок еволюцiйного рiвняння для температури в областi теплової флуктуацiї у напiвпровiдниковiй плiвцi. Доведено, що існує нерухома стійка точка, яка є більшою за величиною порогу виникнення режиму пробою. Проведен анализ неподвижных точек эволюционного уравнения для температуры в области тепловой флуктуации на полупроводниковой плёнке. Показано, что существует устойчивая неподвижная точка, большая по величине порога возникновения режима пробоя. 2004 Article Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 5. — С. 126-128. — Бібліогр.: 2 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 75.50.L; 75.30.С http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80553 en Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| topic |
Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом |
| spellingShingle |
Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом Andreyeva, N.V. Virchenko, Yu.P. Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films Вопросы атомной науки и техники |
| description |
The analysis of fixed points of the evolution equation for temperature in thermal fluctuation area in
semiconductor film is done. It is shown that there exists a stable fixed point being more than the threshold of the
breakdown regime development. |
| format |
Article |
| author |
Andreyeva, N.V. Virchenko, Yu.P. |
| author_facet |
Andreyeva, N.V. Virchenko, Yu.P. |
| author_sort |
Andreyeva, N.V. |
| title |
Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films |
| title_short |
Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films |
| title_full |
Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films |
| title_fullStr |
Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films |
| title_full_unstemmed |
Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films |
| title_sort |
stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| publishDate |
2004 |
| topic_facet |
Взаимодействие релятивистских частиц с кристаллами и веществом |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80553 |
| citation_txt |
Stabilization of thermal breakdown development in semiconductor films / N.V. Andreyeva, Yu.P. Virchenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 5. — С. 126-128. — Бібліогр.: 2 назв. — англ. |
| series |
Вопросы атомной науки и техники |
| work_keys_str_mv |
AT andreyevanv stabilizationofthermalbreakdowndevelopmentinsemiconductorfilms AT virchenkoyup stabilizationofthermalbreakdowndevelopmentinsemiconductorfilms |
| first_indexed |
2023-10-18T19:21:13Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:21:13Z |
| _version_ |
1796146686283743232 |