Моделирование влияния осколков деления урана на материал оболочек тепловыделяющих элементов реакторов тяжелыми ионами высоких энергий
Образцы алюминия были облучены ионами ⁸⁴Kr с энергией 245 МэВ до флюенса 10¹⁴ ион/см² под различными углами к поверхности образца и ионами ¹²⁹Хе с энергией 124 МэВ до флюенса 10¹⁵ ион/см² перпендикулярно к поверхности образца. Методами сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии исследовали...
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2005
|
Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/80587 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Моделирование влияния осколков деления урана на материал оболочек тепловыделяющих элементов реакторов тяжелыми ионами высоких энергий / А. Хофман, А.Ю. Дидык, В.К. Семина, В. Штеке // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 5. — С. 16-21. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Образцы алюминия были облучены ионами ⁸⁴Kr с энергией 245 МэВ до флюенса 10¹⁴ ион/см² под различными углами к поверхности образца и ионами ¹²⁹Хе с энергией 124 МэВ до флюенса 10¹⁵ ион/см² перпендикулярно к поверхности образца. Методами сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии исследовали изменения структуры поверхности алюминия, облученного ионами ¹²⁹Хе, после отжига при температурах 250, 480 и 600°С и ионами ⁸⁴Kr непосредственно после облучения. Обнаружено, что при отжиге происходят различные изменения структуры поверхности имплантированного алюминия. При температуре отжига 250°С не наблюдается каких-либо структурных изменений поверхности. При 480°С появились маленькие ямки вдоль границ субзерен, а при 600°С на имплантированной поверхности видны микротрещины, маленькие ямки, пузырьки, блистеры, раковины, губчатая структура и чешуйки. После облучения ионами ⁸⁴Kr обнаружено появление трещин на поверхности алюминия при увеличении углов облучения, т.е. при приближении профиля залегания ионов криптона к поверхности. Обсуждается влияние температуры на подвижность ксенона и формирование пузырьков, а также образование микротрещин. |
---|