Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe

Описан предложенный авторами метод ионно-плазменной пассивации боковой поверхности полуизолирующего полупроводникового кристалла, такого как CdZnTe. Показано, что пассивация может успешно осуществляться при нанесении покрытия не только из TiO2, но и из Al2O3 или ZrO2. Исследованы вольт-амперные х...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2004
Автори:	Леонов, С.А., Кутний, Д.В., Наконечный, Д.В., Давыдов, Л.Н., Захарченко, А.А., Кутний, В.Е., Рыбка, А.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2004
Назва видання:	Вопросы атомной науки и техники
Теми:	Физика и технология конструкционных материалов
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/81270
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe / С.А. Леонов, Д.В. Кутний, Д.В. Наконечный, Л.Н. Давыдов, А.А. Захарченко, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 147-151. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-81270
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-812702015-05-14T03:02:39Z Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe Леонов, С.А. Кутний, Д.В. Наконечный, Д.В. Давыдов, Л.Н. Захарченко, А.А. Кутний, В.Е. Рыбка, А.В. Физика и технология конструкционных материалов Описан предложенный авторами метод ионно-плазменной пассивации боковой поверхности полуизолирующего полупроводникового кристалла, такого как CdZnTe. Показано, что пассивация может успешно осуществляться при нанесении покрытия не только из TiO2, но и из Al2O3 или ZrO2. Исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) детекторных сенсоров, изготовленных из CdZnTe с пассивированной боковой поверхностью. Проанализированы температурные зависимости ВАХ. Показано, что даже при T ~ 0ºC пассивированная поверхность не влияет на работу детектора из CdZnTe. Описаний запропонований авторами метод іонно-плазмової пасивації бокової поверхні напівізолюючого напівпровідникового кристалу, такого як CdZnTe. Показано, що пасивація може успішно здійснюватися при нанесенні покриття не тільки з TiO2, але і з Al2O3 або ZrO2. Досліджені вольт-амперні характеристики (ВАХ) детекторних сенсорів, виготовлених з CdZnTe із пасивованою боковою поверхнею. Проаналізовані температурні залежності ВАХ. Показано, що навіть при T ~ 0ºC пасивована поверхня не впливає на роботу детектора з CdZnTe. A method of ion plasma passivation, proposed earlier by the authors for lateral surface coating of semiinsulating semiconductor crystal, like CdZnTe, is presented in some detail. It is now shown that the passivation can be successfully realized not only with TiO2 coating but also with coatings made from Al2O3 and ZrO2. The voltage-current characteristics of CdZnTe detector sensors with passivated lateral surface are investigated. The temperature dependence of these characteristics is analyzed. It is shown, that even at T ≈ 0ºC the passivated surface does not influence the CdZnTe detector performance. 2004 Article Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe / С.А. Леонов, Д.В. Кутний, Д.В. Наконечный, Л.Н. Давыдов, А.А. Захарченко, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 147-151. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1562-6016 PACS: 73.25.+i, 52.75.Rx http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/81270 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Физика и технология конструкционных материалов Физика и технология конструкционных материалов
spellingShingle	Физика и технология конструкционных материалов Физика и технология конструкционных материалов Леонов, С.А. Кутний, Д.В. Наконечный, Д.В. Давыдов, Л.Н. Захарченко, А.А. Кутний, В.Е. Рыбка, А.В. Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe Вопросы атомной науки и техники
description	Описан предложенный авторами метод ионно-плазменной пассивации боковой поверхности полуизолирующего полупроводникового кристалла, такого как CdZnTe. Показано, что пассивация может успешно осуществляться при нанесении покрытия не только из TiO2, но и из Al2O3 или ZrO2. Исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) детекторных сенсоров, изготовленных из CdZnTe с пассивированной боковой поверхностью. Проанализированы температурные зависимости ВАХ. Показано, что даже при T ~ 0ºC пассивированная поверхность не влияет на работу детектора из CdZnTe.
format	Article
author	Леонов, С.А. Кутний, Д.В. Наконечный, Д.В. Давыдов, Л.Н. Захарченко, А.А. Кутний, В.Е. Рыбка, А.В.
author_facet	Леонов, С.А. Кутний, Д.В. Наконечный, Д.В. Давыдов, Л.Н. Захарченко, А.А. Кутний, В.Е. Рыбка, А.В.
author_sort	Леонов, С.А.
title	Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
title_short	Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
title_full	Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
title_fullStr	Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
title_full_unstemmed	Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe
title_sort	ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов cdznte
publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate	2004
topic_facet	Физика и технология конструкционных материалов
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/81270
citation_txt	Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe / С.А. Леонов, Д.В. Кутний, Д.В. Наконечный, Л.Н. Давыдов, А.А. Захарченко, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 147-151. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
series	Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv	AT leonovsa ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte AT kutnijdv ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte AT nakonečnyjdv ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte AT davydovln ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte AT zaharčenkoaa ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte AT kutnijve ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte AT rybkaav ionnoplazmennaâpassivaciâpoverhnostikristallovcdznte
first_indexed	2023-10-18T19:22:48Z
last_indexed	2023-10-18T19:22:48Z
_version_	1796146758701547520

Ионно-плазменная пассивация поверхности кристаллов CdZnTe

Репозитарії

Схожі ресурси