Использование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмазных покрытий

Использование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмазных покрытий

В ННЦ ХФТИ (г. Харьков) разработан метод активации рабочего газа с помощью тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмаза из газовой фазы. Этот метод обладает рядом преимуществ по сравнению с другими существующими методами: СВЧ-методом, различными типами дуговых разрядов и...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2004
Автори: Пашнев, В.К., Стрельницкий, В.Е., Опалев, О.А., Грицына, В.И., Выровец, И.И., Бизюков, Ю.А., Столбовой, В.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2004
Назва видання:Вопросы атомной науки и техники
Теми:
Работы молодых ученых института физики твердого тела, материаловедения и технологий ННЦ ХФТИ
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/81338
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Использование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмазных покрытий / В.К. Пашнев, В.Е. Стрельницкий, О.А. Опалев, В.И. Грицына, И.И. Выровец, Ю.А. Бизюков, В.А. Столбовой // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 167-171. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-81338
record_format dspace
spelling irk-123456789-813382015-05-15T03:02:34Z Использование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмазных покрытий Пашнев, В.К. Стрельницкий, В.Е. Опалев, О.А. Грицына, В.И. Выровец, И.И. Бизюков, Ю.А. Столбовой, В.А. Работы молодых ученых института физики твердого тела, материаловедения и технологий ННЦ ХФТИ В ННЦ ХФТИ (г. Харьков) разработан метод активации рабочего газа с помощью тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмаза из газовой фазы. Этот метод обладает рядом преимуществ по сравнению с другими существующими методами: СВЧ-методом, различными типами дуговых разрядов и методом "горячей нити". Тлеющий разряд, стабилизированный магнитным полем, позволяет наносить покрытия на большие поверхности (до 50 см диаметром), получать достаточно высокую скорость роста алмазных покрытий и обладает низким уровнем примесей. Представлены результаты исследований, проведенных на установке с уровнем мощности, вводимой в разряд, около 5 кВт и диаметром подложкодержателя 5 см. Скорость роста алмазного покрытия достигала 3 мкм/ч. В ННЦ ХФТІ (м. Харків) розроблений метод активації робочого газу за допомогою тліючого розряду, стабілізованого магнітним полем, для синтезу алмаза з газової фази. Цей метод має низку переваг у порівнянні з іншими існуючими методами: СВЧ-методом, різними типами дугових розрядів і методом "гарячої нитки". Тліючий розряд, стабілізований магнітним полем, дозволяє наносити покриття на великі поверхні (до 50 см діаметром), одержувати досить високу швидкість росту алмазних покрить і має низький рівень домішок. Представлені результати досліджень, проведених на установці з рівнем потужності, що вводиться в розряд, близько 5 кВт і діаметром підкладки 5 см. Швидкість росту алмазного покриття досягала 3 мкм/год. In NSC KIPT (Kharkov) the method of working gas activation with the help of the glow discharge stabilized by a magnetic field for the synthesis of diamond from a 172 gas phase is developed. This method has a number of advantages in comparison with other existing methods: microwave method, different types of arc discharges and method of "hot filament". The glow discharge stabilized by a magnetic field allows to deposit coatings on large surfaces (up to 50 cm in diameter), to obtain sufficiently high growth rate of diamond coatings and has low level of impurities. In the given article the outcomes of researches performed on the setup with a power entered in discharge about 5 kW and substrateholder diameter 5 cm are presented. The growth rate of diamond coating reached 3 µm/h. 2004 Article Использование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмазных покрытий / В.К. Пашнев, В.Е. Стрельницкий, О.А. Опалев, В.И. Грицына, И.И. Выровец, Ю.А. Бизюков, В.А. Столбовой // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 167-171. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/81338 537.525:539.23:679.826 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Работы молодых ученых института физики твердого тела, материаловедения и технологий ННЦ ХФТИ
Работы молодых ученых института физики твердого тела, материаловедения и технологий ННЦ ХФТИ
spellingShingle Работы молодых ученых института физики твердого тела, материаловедения и технологий ННЦ ХФТИ
Работы молодых ученых института физики твердого тела, материаловедения и технологий ННЦ ХФТИ
Пашнев, В.К.
Стрельницкий, В.Е.
Опалев, О.А.
Грицына, В.И.
Выровец, И.И.
Бизюков, Ю.А.
Столбовой, В.А.
Использование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмазных покрытий
Вопросы атомной науки и техники
description В ННЦ ХФТИ (г. Харьков) разработан метод активации рабочего газа с помощью тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмаза из газовой фазы. Этот метод обладает рядом преимуществ по сравнению с другими существующими методами: СВЧ-методом, различными типами дуговых разрядов и методом "горячей нити". Тлеющий разряд, стабилизированный магнитным полем, позволяет наносить покрытия на большие поверхности (до 50 см диаметром), получать достаточно высокую скорость роста алмазных покрытий и обладает низким уровнем примесей. Представлены результаты исследований, проведенных на установке с уровнем мощности, вводимой в разряд, около 5 кВт и диаметром подложкодержателя 5 см. Скорость роста алмазного покрытия достигала 3 мкм/ч.
format Article
author Пашнев, В.К.
Стрельницкий, В.Е.
Опалев, О.А.
Грицына, В.И.
Выровец, И.И.
Бизюков, Ю.А.
Столбовой, В.А.
author_facet Пашнев, В.К.
Стрельницкий, В.Е.
Опалев, О.А.
Грицына, В.И.
Выровец, И.И.
Бизюков, Ю.А.
Столбовой, В.А.
author_sort Пашнев, В.К.
title Использование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмазных покрытий
title_short Использование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмазных покрытий
title_full Использование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмазных покрытий
title_fullStr Использование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмазных покрытий
title_full_unstemmed Использование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмазных покрытий
title_sort использование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмазных покрытий
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate 2004
topic_facet Работы молодых ученых института физики твердого тела, материаловедения и технологий ННЦ ХФТИ
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/81338
citation_txt Использование тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем, для синтеза алмазных покрытий / В.К. Пашнев, В.Е. Стрельницкий, О.А. Опалев, В.И. Грицына, И.И. Выровец, Ю.А. Бизюков, В.А. Столбовой // Вопросы атомной науки и техники. — 2004. — № 6. — С. 167-171. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv AT pašnevvk ispolʹzovanietleûŝegorazrâdastabilizirovannogomagnitnympolemdlâsintezaalmaznyhpokrytij
AT strelʹnickijve ispolʹzovanietleûŝegorazrâdastabilizirovannogomagnitnympolemdlâsintezaalmaznyhpokrytij
AT opalevoa ispolʹzovanietleûŝegorazrâdastabilizirovannogomagnitnympolemdlâsintezaalmaznyhpokrytij
AT gricynavi ispolʹzovanietleûŝegorazrâdastabilizirovannogomagnitnympolemdlâsintezaalmaznyhpokrytij
AT vyrovecii ispolʹzovanietleûŝegorazrâdastabilizirovannogomagnitnympolemdlâsintezaalmaznyhpokrytij
AT bizûkovûa ispolʹzovanietleûŝegorazrâdastabilizirovannogomagnitnympolemdlâsintezaalmaznyhpokrytij
AT stolbovojva ispolʹzovanietleûŝegorazrâdastabilizirovannogomagnitnympolemdlâsintezaalmaznyhpokrytij
first_indexed 2023-10-18T19:22:59Z
last_indexed 2023-10-18T19:22:59Z
_version_ 1796146766045773824

Схожі ресурси