Photoconverters with hetero-interface structure for powerful electrical systems
Збережено в:
Дата: | 1999 |
---|---|
Автори: | Dovbnya, A.N., Yefimov, V.P., Yefimov, S.V., Sleptsov, A.N. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
1999
|
Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/81359 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Photoconverters with hetero-interface structure for powerful electrical systems / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, S.V. Yefimov, A.N. Sleptsov // Вопросы атомной науки и техники. — 1999. — № 3. — С. 113-114. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2009) -
Photoconverter with luminescent concentator. Matrix material
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2019) -
Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of AlxGa₁₋xAs–p-GaAs–n-GaAs-based photoconverters with relief interfaces
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2005) -
Suppression of malignant neoplasms in biological structures by method of immune therapy
за авторством: Dovbnya, A.N., та інші
Опубліковано: (2017) -
Technology of manufacturing the reliable silicon photoconverters with long operation time
за авторством: Guseynov, N.A., та інші
Опубліковано: (2005)