Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора - Долголенко, А.П.; Литовченко, П.Г. (Вопросы атомной науки и техники, 2015)
Рассчитана температурная зависимость кинетических коэффициентов, измеренных в темноте и при ИК-подсветке за краем собственного поглощения Ge- и Si-фильтров, и описано поведение подвижности электронов в высокоомном кремнии, выращенном методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтронами реактора. В рамках уточненной модели кластеров дефектов рассчитана температурная зависимость концентрации электронов и дрейфовых барьеров при их диффузном движении в образцах кремния. Обосновано, что дивакансии в кластерах дефектов находятся в конфигурации с большей дисторсией.