Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора
Рассчитана температурная зависимость кинетических коэффициентов, измеренных в темноте и при ИК-подсветке за краем собственного поглощения Ge- и Si-фильтров, и описано поведение подвижности электронов в высокоомном кремнии, выращенном методом бестигельной зонной плавки, после облучения быстрыми нейтр...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2015
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/82432 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Кинетические коэффициенты в поле ИК-подсветки n-Si, облучённого быстрыми нейтронами реактора / А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 3-9. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |