2025-02-23T04:56:37-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-85367%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T04:56:37-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-85367%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T04:56:37-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T04:56:37-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS

Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS

Определены условия образования наногибридной планарной гетероструктуры со слоем полимерного полупроводника и сверхтонким слоем квантовых точек (QD) с функцией эффективного электролюминесцентного излучателя в OLED-структурах. Обнаружены особенности формирования однородной плотноупакованной бислойн...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Семиноженко, В.П., Матвиенко, О.О., Крыжановская, А.С., Саввин, Ю.Н., Погорелова, Н.В., Ващенко, В.В., Толмачев, О.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2013
Series:Доповіді НАН України
Subjects:
Матеріалознавство
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/85367
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Определены условия образования наногибридной планарной гетероструктуры со слоем полимерного полупроводника и сверхтонким слоем квантовых точек (QD) с функцией эффективного электролюминесцентного излучателя в OLED-структурах. Обнаружены особенности формирования однородной плотноупакованной бислойной пленки из квантовых точек CdSe/ZnS на поверхности водной субфазы методом Ленгмюра–Шефера и ее перенесение на тонкий слой поли(диоктилфлуорена). Проведено исследование и установлено влияние концентрации QD в коллоидном растворе на морфологию консолидированного слоя QD, помещенного на интерфейсе электронно- и дырочно-транспортных слоев, а также эффективность эмиссии электролюминесцентного устройства.

Similar Items