Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS

Определены условия образования наногибридной планарной гетероструктуры со слоем полимерного полупроводника и сверхтонким слоем квантовых точек (QD) с функцией эффективного электролюминесцентного излучателя в OLED-структурах. Обнаружены особенности формирования однородной плотноупакованной бислойн...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Семиноженко, В.П., Матвиенко, О.О., Крыжановская, А.С., Саввин, Ю.Н., Погорелова, Н.В., Ващенко, В.В., Толмачев, О.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2013
Назва видання:Доповіді НАН України
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/85367
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS / В.П. Семиноженко, О.О. Матвиенко, А.С. Крыжановская, Ю.Н. Саввин, Н.В. Погорелова, В.В. Ващенко, О.В. Толмачев // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 1. — С. 89-95. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-85367
record_format dspace
spelling irk-123456789-853672015-07-29T03:01:55Z Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS Семиноженко, В.П. Матвиенко, О.О. Крыжановская, А.С. Саввин, Ю.Н. Погорелова, Н.В. Ващенко, В.В. Толмачев, О.В. Матеріалознавство Определены условия образования наногибридной планарной гетероструктуры со слоем полимерного полупроводника и сверхтонким слоем квантовых точек (QD) с функцией эффективного электролюминесцентного излучателя в OLED-структурах. Обнаружены особенности формирования однородной плотноупакованной бислойной пленки из квантовых точек CdSe/ZnS на поверхности водной субфазы методом Ленгмюра–Шефера и ее перенесение на тонкий слой поли(диоктилфлуорена). Проведено исследование и установлено влияние концентрации QD в коллоидном растворе на морфологию консолидированного слоя QD, помещенного на интерфейсе электронно- и дырочно-транспортных слоев, а также эффективность эмиссии электролюминесцентного устройства. Визначено умови створення наногiбридної пленарної гетероструктури з шаром полiмерного напiвпровiдника i надтонким шаром квантових точок з функцiєю ефективного електролюмiнiсцентного випромiнювача в OLED-структурах. Виявлено особливостi формування однорiдної щiльнопакованої бiшарової плiвки з квантових точок CdSe/ZnS на поверхнi водної субфази методом Ленгмюра–Шефера та її перенесення на тонкий шар з полi(дiоктилфлуорену). Проведено дослiдження i виявлено вплив концентрацiї QD в колоїдному розчинi на морфологiю консолiдованого шару з квантових точок, розмiщеного на iнтерфейсi електронно- i дiрково-транспортних шарiв, та ефективнiсть емiсiї електролюмiнiсцентного пристрою. The formation conditions of nanohybrid planar heterostructures with polymer semiconductor layer and thin quantum dot (QD) layer as an effective electroluminescent emitter for OLED-structures are studied. The features of formation of a uniform close-packed QD bilayer film on the water subphase by the Langmuir–Sсhaefer method and its transfer to the surface of a hole-conducting layer of poly(dioctylfluorene) are investigated. Influence of the QD concentration in the colloidal solution on the morphology of the consolidated QD layer placed on the interface between electron- and holeconducting films and on the emission efficiency of the electroluminescent device are investigated and discussed. 2013 Article Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS / В.П. Семиноженко, О.О. Матвиенко, А.С. Крыжановская, Ю.Н. Саввин, Н.В. Погорелова, В.В. Ващенко, О.В. Толмачев // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 1. — С. 89-95. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/85367 771.534.2:771.534.13:535 ru Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Матеріалознавство
Матеріалознавство
spellingShingle Матеріалознавство
Матеріалознавство
Семиноженко, В.П.
Матвиенко, О.О.
Крыжановская, А.С.
Саввин, Ю.Н.
Погорелова, Н.В.
Ващенко, В.В.
Толмачев, О.В.
Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS
Доповіді НАН України
description Определены условия образования наногибридной планарной гетероструктуры со слоем полимерного полупроводника и сверхтонким слоем квантовых точек (QD) с функцией эффективного электролюминесцентного излучателя в OLED-структурах. Обнаружены особенности формирования однородной плотноупакованной бислойной пленки из квантовых точек CdSe/ZnS на поверхности водной субфазы методом Ленгмюра–Шефера и ее перенесение на тонкий слой поли(диоктилфлуорена). Проведено исследование и установлено влияние концентрации QD в коллоидном растворе на морфологию консолидированного слоя QD, помещенного на интерфейсе электронно- и дырочно-транспортных слоев, а также эффективность эмиссии электролюминесцентного устройства.
format Article
author Семиноженко, В.П.
Матвиенко, О.О.
Крыжановская, А.С.
Саввин, Ю.Н.
Погорелова, Н.В.
Ващенко, В.В.
Толмачев, О.В.
author_facet Семиноженко, В.П.
Матвиенко, О.О.
Крыжановская, А.С.
Саввин, Ю.Н.
Погорелова, Н.В.
Ващенко, В.В.
Толмачев, О.В.
author_sort Семиноженко, В.П.
title Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS
title_short Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS
title_full Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS
title_fullStr Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS
title_full_unstemmed Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS
title_sort наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек cdznses
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
publishDate 2013
topic_facet Матеріалознавство
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/85367
citation_txt Наногибридные электролюминесцентные гетероструктуры на основе поли(диоктилфлуорена) и градиентных квантовых точек CdZnSeS / В.П. Семиноженко, О.О. Матвиенко, А.С. Крыжановская, Ю.Н. Саввин, Н.В. Погорелова, В.В. Ващенко, О.В. Толмачев // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 1. — С. 89-95. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
series Доповіді НАН України
work_keys_str_mv AT seminoženkovp nanogibridnyeélektrolûminescentnyegeterostrukturynaosnovepolidioktilfluorenaigradientnyhkvantovyhtočekcdznses
AT matvienkooo nanogibridnyeélektrolûminescentnyegeterostrukturynaosnovepolidioktilfluorenaigradientnyhkvantovyhtočekcdznses
AT kryžanovskaâas nanogibridnyeélektrolûminescentnyegeterostrukturynaosnovepolidioktilfluorenaigradientnyhkvantovyhtočekcdznses
AT savvinûn nanogibridnyeélektrolûminescentnyegeterostrukturynaosnovepolidioktilfluorenaigradientnyhkvantovyhtočekcdznses
AT pogorelovanv nanogibridnyeélektrolûminescentnyegeterostrukturynaosnovepolidioktilfluorenaigradientnyhkvantovyhtočekcdznses
AT vaŝenkovv nanogibridnyeélektrolûminescentnyegeterostrukturynaosnovepolidioktilfluorenaigradientnyhkvantovyhtočekcdznses
AT tolmačevov nanogibridnyeélektrolûminescentnyegeterostrukturynaosnovepolidioktilfluorenaigradientnyhkvantovyhtočekcdznses
first_indexed 2023-10-18T19:30:59Z
last_indexed 2023-10-18T19:30:59Z
_version_ 1796147173357780992