Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC

Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC

Изучена генерация хемо-ЭДС в результате преобразования химической энергии, выделяющейся на поверхности полупроводниковых структур (наноразмерные p–n-переходы на основе SiC), в электрическую энергию. Преобразование энергии происходит за счет генерации электронно-дырочных пар в полупроводнике в экзот...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
Дата:2013
Автори: Стыров, В.В., Симченко, С.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2013
Назва видання:Доповіді НАН України
Теми:
Фізика
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/85743
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC / В.В. Стыров, С.В. Симченко // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 5. — С. 80–86. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-85743
record_format dspace
spelling irk-123456789-857432015-08-15T03:01:46Z Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC Стыров, В.В. Симченко, С.В. Фізика Изучена генерация хемо-ЭДС в результате преобразования химической энергии, выделяющейся на поверхности полупроводниковых структур (наноразмерные p–n-переходы на основе SiC), в электрическую энергию. Преобразование энергии происходит за счет генерации электронно-дырочных пар в полупроводнике в экзотермических химических актах (адсорбция и рекомбинация атомов H+H, H+O, O+O) и последующего разделения компонентов электронно-дырочных пар электрическим полем p–n-перехода. Лицевой p-слой структуры на основе SiC был нанометровой толщины (~30 нм). Хемо-ЭДС в разомкнутой цепи достигала 3 мВ, а хемоток короткого замыкания — 320 нА. Вивчено генерацiю хемо-ЕРС у результатi перетворення хiмiчної енергiї, яка видiляється на поверхнi напiвпровiдникових структур (нанорозмiрнi p–n-переходи на основi SiC), в електричну енергiю. Перетворення енергiї вiдбувається за рахунок генерацiї електронно-дiркових пар у напiвпровiднику в екзотермiчних хiмiчних актах (адсорбцiї та рекомбiнацiї атомiв H+H, H+O, O+O) i наступного роздiлення електронно-дiркових пар електричним полем p–n-переходу. Лицьовий р-шар структури на основi SiC був нанометрової товщини (~30 нм). Хемо-ЕРС у розiмкнутому колi досягала 3 мВ, а хемострум короткого замикання — 320 нА. Generation of chemo-EMF as a result of the chemical energy conversion deposited on the surface of a semiconductor structure (nanosized p–n junctions based on SiC) into electricity is studied. Energy transformation occurs due to the creation of electron-hole (e–h) pairs in a semiconductor in the course of chemical events (adsorption and recombination of atoms H + H, H + O, O + O) and the subsequent separation of the e–h pairs by the electric field of the junction. The face p-layer of the SiC structure was of a nanometer thickness (~30 nm). The chemo-EMF in the open circuit achieved 3 mV, and the short circuit chemocurrent — 320 nA. 2013 Article Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC / В.В. Стыров, С.В. Симченко // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 5. — С. 80–86. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/85743 537.9 ru Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Фізика
Фізика
spellingShingle Фізика
Фізика
Стыров, В.В.
Симченко, С.В.
Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
Доповіді НАН України
description Изучена генерация хемо-ЭДС в результате преобразования химической энергии, выделяющейся на поверхности полупроводниковых структур (наноразмерные p–n-переходы на основе SiC), в электрическую энергию. Преобразование энергии происходит за счет генерации электронно-дырочных пар в полупроводнике в экзотермических химических актах (адсорбция и рекомбинация атомов H+H, H+O, O+O) и последующего разделения компонентов электронно-дырочных пар электрическим полем p–n-перехода. Лицевой p-слой структуры на основе SiC был нанометровой толщины (~30 нм). Хемо-ЭДС в разомкнутой цепи достигала 3 мВ, а хемоток короткого замыкания — 320 нА.
format Article
author Стыров, В.В.
Симченко, С.В.
author_facet Стыров, В.В.
Симченко, С.В.
author_sort Стыров, В.В.
title Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
title_short Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
title_full Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
title_fullStr Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
title_full_unstemmed Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
title_sort генерация хемо-эдс в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе sic
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
publishDate 2013
topic_facet Фізика
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/85743
citation_txt Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC / В.В. Стыров, С.В. Симченко // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 5. — С. 80–86. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
series Доповіді НАН України
work_keys_str_mv AT styrovvv generaciâhemoédsvnanorazmernyhstrukturahspnperehodaminaosnovesic
AT simčenkosv generaciâhemoédsvnanorazmernyhstrukturahspnperehodaminaosnovesic
first_indexed 2023-10-18T19:31:50Z
last_indexed 2023-10-18T19:31:50Z
_version_ 1796147212039749632

Схожі ресурси