Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si

У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ||k = Km/Kτ (а...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	Баранський, П.І., Бабич, В.М., Гайдар, Г.П.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2013
Назва видання:	Доповіді НАН України
Теми:	Фізика
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/85897
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si / П.І. Баранський, В.М. Бабич, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 9. — С. 87–92. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-85897
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-858972015-09-01T03:01:56Z Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si Баранський, П.І. Бабич, В.М. Гайдар, Г.П. Фізика У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ\|\|k = Km/Kτ (а отже, i параметра анiзотропiї розсiяння Kτ = Km/K) для областi азотних температур у припущеннi, що дослiджуванi кристали є практично не компенсованими. Наведено пояснення наявностi мiнiмуму на залежностi ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в областi ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³. В широком интервале концентраций носителей заряда 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в опытах с монокристаллами n−Si экспериментально получена зависимость предельных значений тензосопротивления ρ∞^[100]/ρ₀ от ne, которая позволяет проводить расчеты параметра анизотропии подвижности K = μ⊥/μk = Km/K (а следовательно, и параметра анизотропии рассеяния K = Km/K) для области азотных температур в предположении, что исследуемые кристаллы являются практически не компенсированными. Объяснено наличие минимума на зависимости ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в области ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³. In a wide range of concentrations of charge carriers 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ at T = 77.4 К in the experiments with the single crystals of n−Si, the dependence of the limit values of tensoresistance ρ∞^[100]/ρ₀ on ne, which allows us to calculate the anisotropy parameter of mobility K = μ⊥/μk = Km/K (and, hence, the anisotropy parameter of scattering K = Km/K) for the region of liquid nitrogen temperatures in the assumption that the investigated crystals are almost uncompensated, is experimentally obtained. The presence of a minimum on the dependence ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) in the region of ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³ is explained. 2013 Article Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si / П.І. Баранський, В.М. Бабич, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 9. — С. 87–92. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. 1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/85897 621.315.592 uk Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
topic	Фізика Фізика
spellingShingle	Фізика Фізика Баранський, П.І. Бабич, В.М. Гайдар, Г.П. Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si Доповіді НАН України
description	У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ\|\|k = Km/Kτ (а отже, i параметра анiзотропiї розсiяння Kτ = Km/K) для областi азотних температур у припущеннi, що дослiджуванi кристали є практично не компенсованими. Наведено пояснення наявностi мiнiмуму на залежностi ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в областi ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³.
format	Article
author	Баранський, П.І. Бабич, В.М. Гайдар, Г.П.
author_facet	Баранський, П.І. Бабич, В.М. Гайдар, Г.П.
author_sort	Баранський, П.І.
title	Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
title_short	Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
title_full	Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
title_fullStr	Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
title_full_unstemmed	Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
title_sort	концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–si
publisher	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
publishDate	2013
topic_facet	Фізика
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/85897
citation_txt	Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si / П.І. Баранський, В.М. Бабич, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 9. — С. 87–92. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
series	Доповіді НАН України
work_keys_str_mv	AT baransʹkijpí koncentracíjnazaležnístʹtenzooporumonokristalívnsi AT babičvm koncentracíjnazaležnístʹtenzooporumonokristalívnsi AT gajdargp koncentracíjnazaležnístʹtenzooporumonokristalívnsi
first_indexed	2023-10-18T19:32:11Z
last_indexed	2023-10-18T19:32:11Z
_version_	1796147228414312448

Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si

Репозитарії

Схожі ресурси