Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶

Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶

Для полярной поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶ со структурой сфалерита ZnTe, ZnS, CdTe исследованы зонная структура, локальная плотность электронных состояний (полная и послойная), а также распределение зарядовой плотности валентных электронов (3D-графики и контурные карты). Отдельно рассмо...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Зубкова, С.М., Русина, Л.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2014
Назва видання:Доповіді НАН України
Теми:
Фізика
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/86792
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶ / С.М. Зубкова, Л.Н. Русина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 1. — С. 72–80. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-86792
record_format dspace
spelling irk-123456789-867922015-10-02T03:02:02Z Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶ Зубкова, С.М. Русина, Л.Н. Фізика Для полярной поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶ со структурой сфалерита ZnTe, ZnS, CdTe исследованы зонная структура, локальная плотность электронных состояний (полная и послойная), а также распределение зарядовой плотности валентных электронов (3D-графики и контурные карты). Отдельно рассмотрены свойства поверхностей, заканчивающихся анионом и катионом. Численный расчет проведен самосогласованным “трехмерным” методом псевдопотенциала в рамках модели слоистой сверхрешетки. В процессе самосогласования использован оригинальный итератор, позволивший преодолеть трудности, обусловленные наличием в случае поверхности векторов обратной решетки, меньших 1 ат. ед. Для полярної поверхнi (111) у кристалах типу А²В⁶ iз структурою сфалериту i ZnTe, ZnS, CdTe дослiджено зонну структуру, локальну густину електронних станiв (повна i пошарова), а також розподiл зарядової густини валентних електронiв (3D-графiки та контурнi карти). Окремо розглянуто властивостi поверхонь, що закiнчуються анiоном i катiоном. Чисельний розрахунок для кристалiв типу сфалериту проведено самоузгодженим “тривимiрним” методом псевдопотенцiалу в рамках моделi шаруватої надгратки. В процесi самоузгодження використано оригiнальний iтератор, який дозволив подолати труднощi, пов’язанi з наявнiстю у випадку поверхнi векторiв оберненої гратки, менших за 1 ат. од. Electronic band structure, local densities of states (total and layer-resolved ones), and the distribution of a charge density of valence electrons (3D-graphics and contour cards) at the (111) polar surface in ZnTe, ZnS, CdTe crystals have been studied. The properties of anion- and cation-terminated surfaces have been analyzed separately. The self-consistent three-dimensional pseudopotential method has been used for numerical calculations in the framework of a model of layered superlattice. The application of an original iterator in the self-consistent procedure allowed the difficulties associated with the surface-induced presence of reciprocal-lattice vectors shorter than 1 a. u. to be overcome. 2014 Article Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶ / С.М. Зубкова, Л.Н. Русина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 1. — С. 72–80. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/86792 538.915 ru Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Фізика
Фізика
spellingShingle Фізика
Фізика
Зубкова, С.М.
Русина, Л.Н.
Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
Доповіді НАН України
description Для полярной поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶ со структурой сфалерита ZnTe, ZnS, CdTe исследованы зонная структура, локальная плотность электронных состояний (полная и послойная), а также распределение зарядовой плотности валентных электронов (3D-графики и контурные карты). Отдельно рассмотрены свойства поверхностей, заканчивающихся анионом и катионом. Численный расчет проведен самосогласованным “трехмерным” методом псевдопотенциала в рамках модели слоистой сверхрешетки. В процессе самосогласования использован оригинальный итератор, позволивший преодолеть трудности, обусловленные наличием в случае поверхности векторов обратной решетки, меньших 1 ат. ед.
format Article
author Зубкова, С.М.
Русина, Л.Н.
author_facet Зубкова, С.М.
Русина, Л.Н.
author_sort Зубкова, С.М.
title Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
title_short Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
title_full Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
title_fullStr Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
title_full_unstemmed Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶
title_sort особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа а²в⁶
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
publishDate 2014
topic_facet Фізика
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/86792
citation_txt Особенности электронного строения поверхности (111) в кристаллах типа А²В⁶ / С.М. Зубкова, Л.Н. Русина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 1. — С. 72–80. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
series Доповіді НАН України
work_keys_str_mv AT zubkovasm osobennostiélektronnogostroeniâpoverhnosti111vkristallahtipaa2v6
AT rusinaln osobennostiélektronnogostroeniâpoverhnosti111vkristallahtipaa2v6
first_indexed 2023-10-18T19:34:10Z
last_indexed 2023-10-18T19:34:10Z
_version_ 1796147317120696320

Схожі ресурси