Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами
Рассматриваются диоды n⁺−n−n⁺ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Одной боковой границей такого диода является полуизолирующая подложка GaAs, на которой выращен n-слой. На противоположной боковой границе может располагаться туннельная или резонансно-туннельная граница конеч...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2014
|
| Назва видання: | Доповіді НАН України |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87148 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 3. — С. 82-89. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-87148 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-871482017-11-06T20:30:28Z Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. Фізика Рассматриваются диоды n⁺−n−n⁺ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Одной боковой границей такого диода является полуизолирующая подложка GaAs, на которой выращен n-слой. На противоположной боковой границе может располагаться туннельная или резонансно-туннельная граница конечной протяженности. Исследуются вольт-амперные и энергетические характеристики таких диодов в широком диапазоне частот мм-диапазона. Показано, что диоды n⁺−n−n⁺ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами обладают отрицательной дифференциальной проводимостью в широком диапазоне частот мм-диапазона и могут быть использованы для генерации и усиления. Продемонстрировано, как влияет местоположение и протяженность боковых границ на энергетические и частотные характеристики диода. Розглядаються дiоди n⁺−n−n⁺ з тунельними або резонансно-тунельними бiчними межами. Однiєю бiчною межею такого дiода є напiвiзолююча пiдкладка GaAs, на якiй вирощений n-шар. На протилежнiй бiчнiй межi може розташовуватися тунельна або резонансно-тунельна межа кiнцевої протяжностi. Дослiджуються вольт-ампернi та енергетичнi характеристики таких дiодiв у широкому дiапазонi частот мм-дiапазону. Показано, що дiоди n⁺−n−n⁺ з тунельними або резонансно-тунельними бiчними межами мають негативну диференцiальну провiднiсть у широкому дiапазонi частот мм-дiапазону i можуть бути використанi для генерацiї та посилення. Показано також, як впливає мiсце розташування i протяжнiсть бiчних меж на енергетичнi та частотнi характеристики дiода. Diodes n⁺−n−n⁺ with tunnel or resonant-tunneling lateral boundaries are considered. One side of the boundary of such a diode is a semiinsulating substrate of GaAs, which is grown on the n-layer. Tunneling or resonant-tunneling boundary of finite extent can be located on the opposite side of the boundary. The current-voltage curve and the power characteristics of such diodes are investigated in the mm wide frequency range. It is shown that diodes n⁺−n−n⁺ with tunnel or resonant tunneling lateral boundaries have a negative differential conductance over a wide frequency band and can be used for the generation and the amplification. The effects of the location and the extent of the lateral boundaries on the energy and frequency characteristics of a diode are studied. 2014 Article Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 3. — С. 82-89. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87148 621.382.2 ru Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Фізика Фізика |
| spellingShingle |
Фізика Фізика Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами Доповіді НАН України |
| description |
Рассматриваются диоды n⁺−n−n⁺ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Одной боковой границей такого диода является полуизолирующая
подложка GaAs, на которой выращен n-слой. На противоположной боковой границе может располагаться туннельная или резонансно-туннельная граница конечной протяженности. Исследуются вольт-амперные и энергетические характеристики таких диодов в широком диапазоне частот мм-диапазона. Показано, что диоды n⁺−n−n⁺ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами обладают отрицательной дифференциальной проводимостью в широком диапазоне частот мм-диапазона и могут быть использованы для генерации и усиления. Продемонстрировано, как влияет местоположение и протяженность боковых границ на энергетические и частотные характеристики диода. |
| format |
Article |
| author |
Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. |
| author_facet |
Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Реутина, О.А. |
| author_sort |
Прохоров, Э.Д. |
| title |
Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами |
| title_short |
Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами |
| title_full |
Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами |
| title_fullStr |
Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами |
| title_full_unstemmed |
Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами |
| title_sort |
эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| publishDate |
2014 |
| topic_facet |
Фізика |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87148 |
| citation_txt |
Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 3. — С. 82-89. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| series |
Доповіді НАН України |
| work_keys_str_mv |
AT prohorovéd éffektivnostʹgeneraciiplanarnyhdiodovnnnctunnelʹnymigranicami AT boculaov éffektivnostʹgeneraciiplanarnyhdiodovnnnctunnelʹnymigranicami AT reutinaoa éffektivnostʹgeneraciiplanarnyhdiodovnnnctunnelʹnymigranicami |
| first_indexed |
2023-10-18T19:34:54Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:34:54Z |
| _version_ |
1796147352714608640 |