Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами
Рассматриваются диоды n⁺−n−n⁺ с туннельными или резонансно-туннельными боковыми границами. Одной боковой границей такого диода является полуизолирующая подложка GaAs, на которой выращен n-слой. На противоположной боковой границе может располагаться туннельная или резонансно-туннельная граница конеч...
Збережено в:
Видавець: | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
---|---|
Дата: | 2014 |
Автори: | Прохоров, Э.Д., Боцула, О.В., Реутина, О.А. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2014
|
Назва видання: | Доповіді НАН України |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87148 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Реутина // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 3. — С. 82-89. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2012) -
Эффективность генерации диодов с резонансно-туннельными границами в "сэндвич"-варианте
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2012) -
Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2011) -
Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2010) -
Генерация и умножение частоты диодами с туннельными границами на основе GaAs
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2011)