Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂

Теоретично розглянуто явище дегiбридизацiї для iнтерметалiчних iзоструктурних сполук ряду RAl₂Si₂ (R — Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показано фiзичну природу виникнення δ-подiбного пiка, величина якого пропорцiйна кiлькостi вузлiв (N), утворених структурними елементами R−Si. У порiвняннi з одиничною дом...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Ніколюк, П.К., Ющенко, А.В., Стасенко, В.А., Ніколайчук, В.Я.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2014
Назва видання:Доповіді НАН України
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87706
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ / П.К. Нiколюк, А.В. Ющенко, В.А. Стасенко, В.Я. Нiколайчук // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 5. — С. 83-86. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Теоретично розглянуто явище дегiбридизацiї для iнтерметалiчних iзоструктурних сполук ряду RAl₂Si₂ (R — Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показано фiзичну природу виникнення δ-подiбного пiка, величина якого пропорцiйна кiлькостi вузлiв (N), утворених структурними елементами R−Si. У порiвняннi з одиничною домiшкою величина δ-подiбного пiка зростає в N разiв. Це зумовлено тим, що орбiталi R−Si вiдiграють роль електронних дефектiв, перiодично розташованих у межах всiєї кристалiчної решiтки. Проведенi експериментальнi й теоретичнi дослiдження показали високу ступiнь кореляцiї та самоузгодженостi, що дозволяє розглядати атомнi зв’язки R−Si як своєрiднi електроннi дефекти, сильно збурюючи електронну систему сполук ряду RAl₂Si₂. Таке збурення проявляється у виникненнi iнтенсивних резонансних пiкiв електронних станiв, якi формуються у валентнiй зонi дослiджуваних интерметалiдiв в результатi дiї дегiбридизацiйного фактора.