Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂
Теоретично розглянуто явище дегiбридизацiї для iнтерметалiчних iзоструктурних сполук ряду RAl₂Si₂ (R — Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показано фiзичну природу виникнення δ-подiбного пiка, величина якого пропорцiйна кiлькостi вузлiв (N), утворених структурними елементами R−Si. У порiвняннi з одиничною дом...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2014
|
| Назва видання: | Доповіді НАН України |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87706 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ / П.К. Нiколюк, А.В. Ющенко, В.А. Стасенко, В.Я. Нiколайчук // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 5. — С. 83-86. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-87706 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-877062015-10-24T03:01:47Z Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ Ніколюк, П.К. Ющенко, А.В. Стасенко, В.А. Ніколайчук, В.Я. Матеріалознавство Теоретично розглянуто явище дегiбридизацiї для iнтерметалiчних iзоструктурних сполук ряду RAl₂Si₂ (R — Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показано фiзичну природу виникнення δ-подiбного пiка, величина якого пропорцiйна кiлькостi вузлiв (N), утворених структурними елементами R−Si. У порiвняннi з одиничною домiшкою величина δ-подiбного пiка зростає в N разiв. Це зумовлено тим, що орбiталi R−Si вiдiграють роль електронних дефектiв, перiодично розташованих у межах всiєї кристалiчної решiтки. Проведенi експериментальнi й теоретичнi дослiдження показали високу ступiнь кореляцiї та самоузгодженостi, що дозволяє розглядати атомнi зв’язки R−Si як своєрiднi електроннi дефекти, сильно збурюючи електронну систему сполук ряду RAl₂Si₂. Таке збурення проявляється у виникненнi iнтенсивних резонансних пiкiв електронних станiв, якi формуються у валентнiй зонi дослiджуваних интерметалiдiв в результатi дiї дегiбридизацiйного фактора. Теоретически рассмотрено явление дегибридизации для интерметаллических изоструктурних соединений ряда RAl₂Si₂ (R Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показана физическая природа возникновения δ-образного пика, величина которого пропорциональна количеству узлов (N), образованных структурными элементами R−Si. По сравнению с единичной примесью величина δ-образного пика возрастает в N раз. Это обусловлено тем, что орбитали R−Si играют роль электронных дефектов, периодически расположенных в пределах всей кристаллической решетки. Проведенные экспериментальные и теоретические исследования показали высокую степень корреляции и самосогласованности, что позволяет рассматривать атомные связи R−Si как своеобразные электронные дефекты, сильно возмущающие электронную систему соединений ряда RAl₂Si₂. Такое возмущение проявляется в возникновении интенсивных резонансных пиков электронных состояний, формирующихся в валентной зоне изучаемых интерметаллидов в результате действия дегибридизационного фактора. The theoretical consideration of the dehybridization phenomenon for intermetallic isostructural compounds of the RAl₂Si₂ (R Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb) row has been performed. The physical nature of the occasion of a δ-like hump, value of which is proportional to the number of lattice sites N formed by R−Si structural elements, is clarified. In comparison with a single admixture, the value of δ-like hump is more by N times. This is caused by that the orbitals R−Si play the role of electronic defects, which are periodically located in the frame of the crystal. The performed theoretical and experimental investigations show a great degree of correlation and self-consistency. This gives possibility to view R−Si bonds as specific electronic defects, which strongly perturb the electronic system of RAl₂Si₂ compounds. Such perturbation is displayed in arising the intense resonance humps of electronic states, which are formed in the valence zone of the intermetallids under study as a result of the dehybridization factor action. 2014 Article Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ / П.К. Нiколюк, А.В. Ющенко, В.А. Стасенко, В.Я. Нiколайчук // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 5. — С. 83-86. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. 1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87706 538.915 uk Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Матеріалознавство Матеріалознавство |
| spellingShingle |
Матеріалознавство Матеріалознавство Ніколюк, П.К. Ющенко, А.В. Стасенко, В.А. Ніколайчук, В.Я. Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ Доповіді НАН України |
| description |
Теоретично розглянуто явище дегiбридизацiї для iнтерметалiчних iзоструктурних сполук ряду RAl₂Si₂ (R — Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показано фiзичну природу виникнення
δ-подiбного пiка, величина якого пропорцiйна кiлькостi вузлiв (N), утворених структурними елементами R−Si. У порiвняннi з одиничною домiшкою величина δ-подiбного пiка
зростає в N разiв. Це зумовлено тим, що орбiталi R−Si вiдiграють роль електронних дефектiв, перiодично розташованих у межах всiєї кристалiчної решiтки. Проведенi експериментальнi й теоретичнi дослiдження показали високу ступiнь кореляцiї та
самоузгодженостi, що дозволяє розглядати атомнi зв’язки R−Si як своєрiднi електроннi дефекти, сильно збурюючи електронну систему сполук ряду RAl₂Si₂. Таке збурення
проявляється у виникненнi iнтенсивних резонансних пiкiв електронних станiв, якi формуються у валентнiй зонi дослiджуваних интерметалiдiв в результатi дiї дегiбридизацiйного фактора. |
| format |
Article |
| author |
Ніколюк, П.К. Ющенко, А.В. Стасенко, В.А. Ніколайчук, В.Я. |
| author_facet |
Ніколюк, П.К. Ющенко, А.В. Стасенко, В.А. Ніколайчук, В.Я. |
| author_sort |
Ніколюк, П.К. |
| title |
Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ |
| title_short |
Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ |
| title_full |
Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ |
| title_fullStr |
Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ |
| title_full_unstemmed |
Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ |
| title_sort |
дегібридизація в сполуках ral₂si₂ |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| publishDate |
2014 |
| topic_facet |
Матеріалознавство |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87706 |
| citation_txt |
Дегібридизація в сполуках RAl₂Si₂ / П.К. Нiколюк, А.В. Ющенко, В.А. Стасенко, В.Я. Нiколайчук // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2014. — № 5. — С. 83-86. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. |
| series |
Доповіді НАН України |
| work_keys_str_mv |
AT níkolûkpk degíbridizacíâvspolukahral2si2 AT ûŝenkoav degíbridizacíâvspolukahral2si2 AT stasenkova degíbridizacíâvspolukahral2si2 AT níkolajčukvâ degíbridizacíâvspolukahral2si2 |
| first_indexed |
2023-10-18T19:36:11Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:36:11Z |
| _version_ |
1796147407739682816 |