Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
Методою лазерно-стимульованої інтеркаляції одержано монокристали селеніду галію з втіленим манганом. Показано, що в таких структурах реалізується гігантський магнеторезистивний ефект, величина і знак якого залежать від концентрації втіленого «гостьового» компоненту. Механізм виявленого ефекту пропон...
Збережено в:
Дата: | 2008 |
---|---|
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87837 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками / Н.Т. Покладок, І.І. Григорчак, Д.І. Попович, Я. М. Бужук, І.М. Будзуляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 9-16. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-87837 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-878372015-10-29T03:01:48Z Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками Покладок, Н.Т. Григорчак, І.І. Попович, Д.І. Бужук, Я.М. Будзуляк, І.М. Методою лазерно-стимульованої інтеркаляції одержано монокристали селеніду галію з втіленим манганом. Показано, що в таких структурах реалізується гігантський магнеторезистивний ефект, величина і знак якого залежать від концентрації втіленого «гостьового» компоненту. Механізм виявленого ефекту пропонується пов’язати зі зміною топології станів інтеркаляту в околі рівня Фермі під дією магнетного поля. By the method of the laser-stimulated intercalation, gallium-selenide single crystals with interstitial manganese are obtained. As shown, in such structures, the giant magnetoresistance is realized. Its magnitude and sign depend on the concentration of the introduced ‘guest’ component. According to the proposed model, the effect is concerned with the change of topology of intercalate states in the vicinity of Fermi level caused by the magnetic field. Методом лазерно-стимулированной интеркаляции получены монокристаллы селенида галлия с внедренным марганцем. Показано, что в таких структурах реализуется гигантский магниторезистивный эффект, величина и знак которого зависят от концентрации внедренного «гостевого» компонента. Механизм обнаруженного эффекта предположительно связан с изменением топологии состояний интеркалята в окрестности уровня Ферми под действием магнитного поля. 2008 Article Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками / Н.Т. Покладок, І.І. Григорчак, Д.І. Попович, Я. М. Бужук, І.М. Будзуляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 9-16. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. 1816-5230 PACS numbers :71.20.Nr,72.80.Ey,73.40.Vz,73.43.Qt,73.50.Jt,75.30.Vn,75.70.Pa http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87837 uk Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Ukrainian |
description |
Методою лазерно-стимульованої інтеркаляції одержано монокристали селеніду галію з втіленим манганом. Показано, що в таких структурах реалізується гігантський магнеторезистивний ефект, величина і знак якого залежать від концентрації втіленого «гостьового» компоненту. Механізм виявленого ефекту пропонується пов’язати зі зміною топології станів інтеркаляту в околі рівня Фермі під дією магнетного поля. |
format |
Article |
author |
Покладок, Н.Т. Григорчак, І.І. Попович, Д.І. Бужук, Я.М. Будзуляк, І.М. |
spellingShingle |
Покладок, Н.Т. Григорчак, І.І. Попович, Д.І. Бужук, Я.М. Будзуляк, І.М. Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
author_facet |
Покладок, Н.Т. Григорчак, І.І. Попович, Д.І. Бужук, Я.М. Будзуляк, І.М. |
author_sort |
Покладок, Н.Т. |
title |
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками |
title_short |
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками |
title_full |
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками |
title_fullStr |
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками |
title_full_unstemmed |
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками |
title_sort |
гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками |
publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
publishDate |
2008 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87837 |
citation_txt |
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках
з магнетоактивними нанопрошарками / Н.Т. Покладок, І.І. Григорчак, Д.І. Попович, Я. М. Бужук, І.М. Будзуляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 9-16. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
work_keys_str_mv |
AT pokladoknt gígantsʹkijmagnetorezistivnijefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami AT grigorčakíí gígantsʹkijmagnetorezistivnijefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami AT popovičdí gígantsʹkijmagnetorezistivnijefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami AT bužukâm gígantsʹkijmagnetorezistivnijefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami AT budzulâkím gígantsʹkijmagnetorezistivnijefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami |
first_indexed |
2023-10-18T19:11:03Z |
last_indexed |
2023-10-18T19:11:03Z |
_version_ |
1796146228941029376 |