Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками
Методою лазерно-стимульованої інтеркаляції одержано монокристали селеніду галію з втіленим манганом. Показано, що в таких структурах реалізується гігантський магнеторезистивний ефект, величина і знак якого залежать від концентрації втіленого «гостьового» компоненту. Механізм виявленого ефекту пропон...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Schriftenreihe: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87837 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками / Н.Т. Покладок, І.І. Григорчак, Д.І. Попович, Я. М. Бужук, І.М. Будзуляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 9-16. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-87837 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-878372015-10-29T03:01:48Z Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками Покладок, Н.Т. Григорчак, І.І. Попович, Д.І. Бужук, Я.М. Будзуляк, І.М. Методою лазерно-стимульованої інтеркаляції одержано монокристали селеніду галію з втіленим манганом. Показано, що в таких структурах реалізується гігантський магнеторезистивний ефект, величина і знак якого залежать від концентрації втіленого «гостьового» компоненту. Механізм виявленого ефекту пропонується пов’язати зі зміною топології станів інтеркаляту в околі рівня Фермі під дією магнетного поля. By the method of the laser-stimulated intercalation, gallium-selenide single crystals with interstitial manganese are obtained. As shown, in such structures, the giant magnetoresistance is realized. Its magnitude and sign depend on the concentration of the introduced ‘guest’ component. According to the proposed model, the effect is concerned with the change of topology of intercalate states in the vicinity of Fermi level caused by the magnetic field. Методом лазерно-стимулированной интеркаляции получены монокристаллы селенида галлия с внедренным марганцем. Показано, что в таких структурах реализуется гигантский магниторезистивный эффект, величина и знак которого зависят от концентрации внедренного «гостевого» компонента. Механизм обнаруженного эффекта предположительно связан с изменением топологии состояний интеркалята в окрестности уровня Ферми под действием магнитного поля. 2008 Article Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками / Н.Т. Покладок, І.І. Григорчак, Д.І. Попович, Я. М. Бужук, І.М. Будзуляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 9-16. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. 1816-5230 PACS numbers :71.20.Nr,72.80.Ey,73.40.Vz,73.43.Qt,73.50.Jt,75.30.Vn,75.70.Pa http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87837 uk Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Методою лазерно-стимульованої інтеркаляції одержано монокристали селеніду галію з втіленим манганом. Показано, що в таких структурах реалізується гігантський магнеторезистивний ефект, величина і знак якого залежать від концентрації втіленого «гостьового» компоненту. Механізм виявленого ефекту пропонується пов’язати зі зміною топології станів інтеркаляту в околі рівня Фермі під дією магнетного поля. |
| format |
Article |
| author |
Покладок, Н.Т. Григорчак, І.І. Попович, Д.І. Бужук, Я.М. Будзуляк, І.М. |
| spellingShingle |
Покладок, Н.Т. Григорчак, І.І. Попович, Д.І. Бужук, Я.М. Будзуляк, І.М. Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| author_facet |
Покладок, Н.Т. Григорчак, І.І. Попович, Д.І. Бужук, Я.М. Будзуляк, І.М. |
| author_sort |
Покладок, Н.Т. |
| title |
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками |
| title_short |
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками |
| title_full |
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками |
| title_fullStr |
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками |
| title_full_unstemmed |
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками |
| title_sort |
гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках з магнетоактивними нанопрошарками |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| publishDate |
2008 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87837 |
| citation_txt |
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках
з магнетоактивними нанопрошарками / Н.Т. Покладок, І.І. Григорчак, Д.І. Попович, Я. М. Бужук, І.М. Будзуляк // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 9-16. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
| series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| work_keys_str_mv |
AT pokladoknt gígantsʹkijmagnetorezistivnijefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami AT grigorčakíí gígantsʹkijmagnetorezistivnijefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami AT popovičdí gígantsʹkijmagnetorezistivnijefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami AT bužukâm gígantsʹkijmagnetorezistivnijefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami AT budzulâkím gígantsʹkijmagnetorezistivnijefektunapívprovídnikahzmagnetoaktivniminanoprošarkami |
| first_indexed |
2025-07-06T01:10:20Z |
| last_indexed |
2025-07-06T01:10:20Z |
| _version_ |
1836857919357845504 |
| fulltext |
9
PACS numbers: 71.20.Nr, 72.80.Ey, 73.40.Vz, 73.43.Qt, 73.50.Jt, 75.30.Vn, 75.70.Pa
Гігантський магнеторезистивний ефект у напівпровідниках
з магнетоактивними нанопрошарками
Н. Т. Покладок, І. І. Григорчак, Д. І. Попович
*, Я. М. Бужук
**,
І. М. Будзуляк
***
Національний університет «Львівська політехніка»,
вул. Степана Бандери, 12,
79013 Львів, Україна
*Інститут прикладних проблем механіки і математики НАН України,
вул. Наукова, 3б,
79060 Львів, Україна
**Львівський національний університет ім. Івана Франка,
вул. Драгоманова, 50,
79005 Львів, Україна
***Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника,
вул. Шевченка, 57,
76000 Івано-Франківськ, Україна
Методою лазерно-стимульованої інтеркаляції одержано монокристали се-
леніду галію з втіленим манганом. Показано, що в таких структурах реалі-
зується гігантський магнеторезистивний ефект, величина і знак якого за-
лежать від концентрації втіленого «гостьового» компоненту. Механізм ви-
явленого ефекту пропонується пов’язати зі зміною топології станів інтер-
каляту в околі рівня Фермі під дією магнетного поля.
By the method of the laser-stimulated intercalation, gallium-selenide single
crystals with interstitial manganese are obtained. As shown, in such struc-
tures, the giant magnetoresistance is realized. Its magnitude and sign depend
on the concentration of the introduced ‘guest’ component. According to the
proposed model, the effect is concerned with the change of topology of inter-
calate states in the vicinity of Fermi level caused by the magnetic field.
Методом лазерно-стимулированной интеркаляции получены монокри-
сталлы селенида галлия с внедренным марганцем. Показано, что в таких
структурах реализуется гигантский магниторезистивный эффект, вели-
чина и знак которого зависят от концентрации внедренного «гостевого»
компонента. Механизм обнаруженного эффекта предположительно свя-
зан с изменением топологии состояний интеркалята в окрестности уровня
Ферми под действием магнитного поля.
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies
2008, т. 6, № 1, сс. 9—16
© 2008 ІМФ (Інститут металофізики
ім. Г. В. Курдюмова НАН України)
Надруковано в Україні.
Фотокопіювання дозволено
тільки відповідно до ліцензії
10 Н. Т. ПОКЛАДОК, І. І. ГРИГОРЧАК, Д. І. ПОПОВИЧ та ін.
Ключові слова: нанопрошарки, магнеторезистивний ефект, інтеркаля-
ція, спінтроніка, Зеєманова делокалізація.
(Отримано 11 листопада 2007 р.)
1. ВСТУП
Однією з ключових проблем інформаційних технологій є відсут-
ність високочутливих ефективних головок для зчитування інфор-
мації з магнетних носіїв. Прориву в цій галузі, як і в усій магнето-
електроніці, можна досягнути, створивши матеріяли, які би забез-
печували процеси зчитування з високою густиною магнетного за-
пису. Таку здатність матеріялів забезпечує наявність в них гігант-
ського магнеторезистивного ефекту (ГМРЕ) [1].
Магнеторезистивний ефект – це відносна зміна електроопору
матеріялу при накладанні магнетного поля: δН = [ρ(Н) − ρ(0)]/ρ(Н),
де ρ(0) – опір електричному струмові при відсутності магнетного
поля, ρ(Н) – електроопір в магнетнім полі напруженості Н. Впер-
ше ГМРЕ був виявлений в штучно створеній надґратниці Fe/Cr у
1988 році [2]. Величина δН при температурі 4,2 К в полі з Н = 20 кЕ
складала 90% і сильно зменшувалася при кімнатній температурі.
Ефект гігантського магнетоопору пізніше був виявлений в магнет-
них мультишарах інших 3d-феромагнетних металів з немагнетни-
ми прошарками [3]. Для них, як і для гранульованих сплавів, [4—6]
δН складала 200% та 5% при температурах відповідно 4 К та кімна-
тній в магнетнім полі з напруженістю від 0,5 до 30 кЕ. Гігантський
магнеторезистивний ефект властивий не тільки мультишаровим
структурам. В роботі [7] повідомляється про колосальний магнето-
опір у монокристалах La0,7Ba0,3MnO3: δН = 17,2% при кімнатній те-
мпературі і Н = 8,2 кЕ. Близькі значення цих параметрів властиві
для манганових перовскітів [8].
Порівнюючи наведені різні об’єкти робимо висновок, що саме гі-
гантський МРЕ виникає в структурах, для яких характерні розміри
магнетних неоднорідностей є зрівняними, чи навіть меншими від
довжини вільного пробігу електронів. Зрозуміло, що для форму-
вання зазначених неоднорідностей необхідно, щоб феромагнетні
області були розмежовані неферомагнетними. В якості останніх
сьогодні застосовують або парамагнетні перехідні метали (V, Cr,
Nb, Mo, Ru, Ir) або благородні (Au, Ag) та Cu. Проте, враховуючи
значні зусилля напрямлені на інтеграцію магнетизму в напівпрові-
дникову архітектуру сучасних пристроїв функціональної електро-
ніки [9], надзвичайно актуальною виявилася б ситуація, коли в
якості неферомагнетної області виступала б напівпровідникова фа-
за. Тому метою даної роботи якраз і є отримання напівпровіднико-
вих структур з почерговими магнетоактивними нанопрошарками
ГІГАНТСЬКИЙ МАГНЕТОРЕЗИСТИВНИЙ ЕФЕКТ У НАПІВПРОВІДНИКАХ 11
та дослідження особливостей прояву у них магнеторезистивного
ефекту.
2. МЕТОДИКА ЕКСПЕРИМЕНТУ
Поставлена в роботі мета досягається інтеркаляцією, як методою
формування наноструктур з матричною ізоляцією [10]. Остання є
чи не найактуальнішою для вирішення проблеми стабільності на-
носистем [11].
Вихідними реактивами для синтезу напівпровідникових моно-
кристалів GaSe були: Ga металічний ГЛ-000, Se елементарний ОСЧ
17-4. Синтез відповідних сполук здійснювався безпосереднім спла-
вленням компонентів у графітизованих вакуумованих кварцових
ампулах, з метою уникнення прилипання речовини під час синтезу
до стінок ампули. При цьому нагрів спочатку відбувався до темпе-
ратури 600°С з витримкою 20 год. при ній, після чого включався
вібратор при повільному підвищенні температури до 1060°С, яка
підтримувалася впродовж 10 годин. Ампули з просинтезованою ре-
човиною повільно охолоджувались в печі до кімнатної температу-
ри. Одержані таким чином зливки мали однорідну структуру і були
вихідним матеріялом для вирощування монокристалів GaSe мето-
дою Бріджмена. Швидкість опускання ампули змінювали від 3 до
10 мм/год (оптимальна швидкість опускання становила 3—4
мм/год, температурний ґрадієнт 30°/см).
Втілення «гостьового» мангану в монокристали селеніду галію здій-
снювалось запропонованим нами [12] лазерно-стимульованим спосо-
бом. Для цього було виготовлено зразки у формі прямокутного пара-
лелепіпеда розмірами 8 мм×4 мм×0,5 мм. На одну з чотирьох граней,
паралельних кристалографічній осі С, методом вакуумного напоро-
шення наносилася плівка мангану товщиною 0,2—0,3 мкм. Після цьо-
го промінь від імпульсного YAG:Nd-лазера, що працював у режимі
вільної генерації, направлявся на зразок зі сторони напиленої плівки
під кутом 90 ± 1°. При цьому тривалість імпульсу становила 2 мс, до-
вжина хвилі випромінювання λ = 1,06 мкм, густина енергії випромі-
нювання – 9,5 ± 0,5 Дж/см2. Збільшення вмісту втіленого мангану
досягалося лише ростом числа імпульсів, тому що інші зазначені па-
раметри режимів є сталими для використовуваного лазерно-
технологічного комплексу.
За наведених умов кожний інтеркаляційний лазерний імпульс за-
безпечував вміст втіленого мангану приблизно на рівні 1 ат.%. Тому
ступінь манганового «гостьового» навантаження керувалася кількіс-
тю вищенаведених послідовних технологічних операцій і позначалася
індексом n у формулі <Mn>nGaSe.
Імпедансні виміри, проводилися в діяпазоні частот 10−3—106
Гц за
допомогою комплексу «AUTOLAB» фірми «ECO CHEMIE» (Голлан-
12 Н. Т. ПОКЛАДОК, І. І. ГРИГОРЧАК, Д. І. ПОПОВИЧ та ін.
дія), укомплектованого програмами FRA-2 та GPES. Вплив магнет-
ного поля вивчався шляхом поміщення зразків між полюси постій-
ного магнету з напруженістю (як і в [3]) 0,5 кЕ при двох орієнтаціях
кристалографічної осі С (вздовж якої вимірювався відклик): пара-
лельно та перпендикулярно до вектора напруженості. Схематично
геометрія вимірів показана на рис. 1.
3. РЕЗУЛЬТАТИ ЕКСПЕРИМЕНТУ ТА ЇХ ОБГОВОРЕННЯ
На рисунку 2 показано зміну питомого опору вздовж кристалографі-
чної осі С під дією магнетного поля, орієнтованого вздовж зазначеної
осі. Видно, що уже після першого впровадження виникає гігантсь-
кий додатній магнеторезистивний ефект при кімнатній температурі.
Зі збільшенням кількості втіленого мангану спостерігається його ре-
лаксація, яка супроводжується зміною знаку δН. Після першого ін-
теркаляційного імпульсу значення δН при кімнатній температурі пе-
ревищувало відповідне для мультишарів 3d-феромагнетного металу
[3] майже у 20 разів. Це яскраво підтверджує перспективність за-
пропонованої інтеркаляційної технології. Виявлена знакозмінність
δН не «вписується» у традиційні моделі гігантського магнеторезис-
тивного ефекту. Тому ми пропонуємо механізм спостережуваних
явищ, в основі якого лежить зміна розподілу енергетичних станів
над і під рівнем Фермі внаслідок втілення мангану. Вона може бути
обумовлена як внесеними рівнями мангану, так і перерозподілом
станів власних дефектів. Якісно це можна представити схемою, на-
веденою на рис. 3.
Для обґрунтування та розвинення висунутої гіпотези було про-
Рис. 1. Схематичне зображення геометрії вимірів.
ГІГАНТСЬКИЙ МАГНЕТОРЕЗИСТИВНИЙ ЕФЕКТ У НАПІВПРОВІДНИКАХ 13
аналізовано зміну питомого опору без магнетного поля при збіль-
шенні ступеня інтеркаляції манганом (рис. 4). Видно, що одержа-
ний характер гістограми не відповідає характеру залежності δН(n).
Це дає нам підстави зробити наступні припущення.
1. Зростання ρ(0) після першого інтеркаляційного імпульсу і по-
ява додатнього ГМРЕ може свідчити про те, що в даному разі вве-
дення мангану супроводжується локалізацією носіїв струму (анало-
гічні явища спостерігали в дихалькогенідах перехідних металів ав-
тори робіт [13—14]) з одночасним збільшенням відношення густини
станів над і під рівнем Фермі в його δ-околі. При цьому у зміну маг-
нетоопору переважаючий вклад вносить зміна концентрації носіїв
струму, викликана Зеємановим ефектом у відповідності до рис. 3, б.
2. Подальше зростання кількості втіленого мангану (n = 2) при-
зводить до переважаючого вкладу як в електроопір, так і магнетоопір
процесів розсіяння. У відсутності магнетного поля носії струму си-
Рис. 2. Залежність магнетоопору сполук інтеркалювання <Mn>nGaSe від
кількості лазерних інтеркаляційних імпульсів.
а б
Рис. 3. Схематичне зображення характеру концентраційного розподілу
енергетичних рівнів дефектів, що ініціює під впливом магнетного поля
від’ємний (а) та додатній (б) магнеторезистивний ефект, де EF – енер-
гія Фермі.
14 Н. Т. ПОКЛАДОК, І. І. ГРИГОРЧАК, Д. І. ПОПОВИЧ та ін.
льно розсіюються на хаотично орієнтованих спінах магнетоактивних
нанопрошарків. Прикладене зовнішнє магнетне поле орієнтує спіни
паралельно, в результаті чого різко падає розсіювання, що візуалізує
перехід від схеми рис. 3, б до 3, а.
3. Поведінку ρ(0) і δН як функцій числа інтеркаляційних імпульсів
для n ≥ 3 можна пояснити, якщо допустити, що за цих умов розсію-
вання носіїв струму практично не змінюється з ростом кількості
впровадженого мангану. Тоді поведінку δН(n) слід пов’язувати з по-
черговими переходами від магнетної локалізації носіїв струму до ма-
гнетної делокалізації, ініційованих Зеємановим ефектом за рахунок
вищезазначеного перерозподілу енергетичних рівнів. Іншими сло-
вами, монотонний спад ρ(0) при n ≥ 2 на фоні знакозмінної поведінки
δН може бути зумовлений ймовірністю формування однодоменної
структури з когерентними перемагнетованими магнетоактивними
прошарками згідно умови Кондорського і моделі Стонера—Вольфарта
[15, 16]. Однак, для остаточного висновку про магнетний стан Mn в
структурі GaSe необхідні подальші дослідження.
Певна кореляція вищенаведеного з експериментальними даними
простежується на Найквістових діяграмах. Для неінтеркальованого
селеніду галію функціональна залежність: Im(Z) = f{Re(Z)} (Z – ком-
плексний імпеданс) має вигляд одного півкола, що вказує на меха-
нізм провідності поперек шарів за участю носіїв заряду з околу рівня
Фермі. Тоді трансформацію Найквістових діяграм до дводугового
вигляду, зображеного на рис. 5 (криві 2, 3) найбільш ймовірно
пов’язати з появою додаткового бар’єру для перенесення носіїв заря-
ду після інтеркаляції. При високих ступенях «гостьового» наванта-
ження відношення ємності локалізованих станів до делокалізованих
значно спадає, що і проявляється у зменшенні дуги на Найквістових
Рис. 4. Залежність питомого опору в сполуках інтеркалювання <Mn>nGaSe
від кількості лазерних інтеркаляційних імпульсів.
ГІГАНТСЬКИЙ МАГНЕТОРЕЗИСТИВНИЙ ЕФЕКТ У НАПІВПРОВІДНИКАХ 15
діяграмах.
4. ВИСНОВКИ
1. Лазерно-інтеркаляційним способом сформовано структури
<Mnn>GaSe, для яких гігантський магнеторезистивний ефект знач-
но перевищує при кімнатній температурі і магнетнім полі напру-
женістю 0,5 кЕ відповідну величину для відомих матеріялів та
структур.
2. Гігантський магнеторезистивний ефект, який виникає після ін-
теркаляції, за величиною і знаком залежить від кількості втіленого
мангану.
3. Механізм виникнення ГМРЕ в одержаних структурах несупереч-
ливо можна пояснити Зеємановою локалізацією (делокалізацією)
носіїв струму з δ-околу рівня Фермі, з інтеркаляційно-модифікова-
ною енергетичною топологією.
ЦИТОВАНА ЛІТЕРАТУРА
1. С. А. Никитин, Соросовский образовательный журнал, 8, № 2: 92 (2004).
2. M. N. Baibich, J. M. Broto, A. Fert et al., Phys. Rev. Lett., 61: 2472 (1988).
3. А. А. Берзин, А. І. Морозов, А. С. Сигов, Физика твердого тела, 47, вып. 11:
2009 (2005).
4. A. M. Berkowitz et al., Phys. Rev. Lett., 68: 37454 (1992).
5. M. J. Carey et al., Appl. Phys. Lett., 61: 2925 (1992).
6. J. Q. Xiao, J. S. Jang and C. L. Chien, Phys. Rev. Lett., 68: 3749 (1992).
7. Р. В. Демин, М. И. Королева, А. З. Муминов, Я. М. Муковский, Физика
Рис. 5. Найквістові діяграми для GaSe, лазерно-інтеркальованого Mn (1 –
вихідний матеріял, 2, 3, 4, 5, 6, 7 – послідовність лазерних інтеркаляцій).
16 Н. Т. ПОКЛАДОК, І. І. ГРИГОРЧАК, Д. І. ПОПОВИЧ та ін.
твердого тела, 48, вып. 2: 305 (2006).
8. T. Goto, T. Kimura, G. Lawes, A. P. Ramsres, and Y. Tokura, Phys. Rev.
Lett., 92, No. 25: 257201-1 (2004).
9. Б. П. Захарченя, В. Л. Коренев, Успехи физ. наук, 175, № 6: 629 (2005).
10. І. І. Григорчак, Фізика і хімія твердого тіла, 2, № 1: 7 (2001).
11. Ч. Пул, Ф. Оуэнс, Нанотехнологии (Москва: Техносфера: 2004).
12. І. І. Григорчак, І. М. Будзуляк, З. Д. Ковалюк, Спосіб інтеркалюван-
ня/І: Патент № 53699 C2. Україна, МПК7 C01B 19/0. (Україна ) (Заявле-
но 26.10.1999. Опубл. 15.05.2001) (Бюл.: № 4: 2) (2001).
13. А. Н. Титов, А. В. Долгошеин, Физика твердого тела, 42, № 3: 425
(2000).
14. С. Г. Титова, А. Н. Титов, Физика твердого тела, 49, № 1: 60 (2007).
15. Е. И. Кондорский, ДАН СССР, 82, № 3: (1952).
16. К. А. Звездин, Физика твердого тела, 42, № 1: (2000).
|