Електроопір шаруватого композиційного матеріялу фторопласт—вуглецеві нанотрубки
Виявлено, що електричний струм у фторопластовій матриці композиції провідник—діелектрик проходить у локальних місцях. Ці місця умовно названо треками. Показано, що залежність питомого електроопору від частоти струму для композиції має дещо інший характер, ніж для однорідного діелектрика. Доведено...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87838 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Електроопір шаруватого композиційного матеріялу фторопласт—вуглецеві нанотрубки / А.А. Беженар, В.С. Копань, Н.І. Півень // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2008. — Т. 6, № 1. — С. 25-31. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Виявлено, що електричний струм у фторопластовій матриці композиції
провідник—діелектрик проходить у локальних місцях. Ці місця умовно
названо треками. Показано, що залежність питомого електроопору від
частоти струму для композиції має дещо інший характер, ніж для однорідного діелектрика. Доведено, що в явищі пропускання змінного електроструму композицію можна розглядати як сукупність мікроконденсаторів. |
|---|