Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель
Построена обобщённая модель дисперсионно чувствительной дифрактометрии неидеальных кристаллов, позволяющая проводить анализ дифференциальных и интегральных картин рассеяния для произвольных эффективных толщин кристалла. Введён параметр, характеризующий эффект аномального роста относительного вклада...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87981 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Дисперсионная чувствительность картины рассеянияк дефектам в зависимости от толщины кристаллическихизделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель / В.В. Лизунов, Е.В. Кочелаб, Е.С. Скакунова, Е.Г. Лень, В.Б. Молодкин, С.И. Олиховский, Н.Г. Толмачёв, Б.В. Шелудченко, С.В. Лизунова, Л.Н. Скапа // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 1. — С. 99–115. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-87981 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-879812015-11-06T03:01:55Z Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель Лизунов, В.В. Кочелаб, Е.В. Скакунова, Е.С. Лень, Е.Г. Молодкин, В.Б. Олиховский, С.И. Толмачёв, Н.Г. Шелудченко, Б.В. Лизунова, С.В. Скапа, Л.Н. Построена обобщённая модель дисперсионно чувствительной дифрактометрии неидеальных кристаллов, позволяющая проводить анализ дифференциальных и интегральных картин рассеяния для произвольных эффективных толщин кристалла. Введён параметр, характеризующий эффект аномального роста относительного вклада диффузного рассеяния. Предложенная теоретическая модель может обеспечить решение обратной многопараметрической задачи восстановления характеристик сложных дефектных структур в монокристаллах, применяемых в современных нанотехнологиях. Побудовано узагальнену модель дисперсійно чутливої дифрактометрії неідеальних кристалів, яка уможливлює проводити аналіз диференціальних і інтеґральних картин розсіяння для довільних ефективних товщин кристалу. Введено параметр, який характеризує ефект аномального росту відносного внеску дифузного розсіяння. Запропонована теоретична модель може забезпечити розв’язання оберненої багатопараметричної задачі відновлення характеристик складних дефектних структур у монокристалах, які застосовуються в сучасних нанотехнологіях. The generalized model of dispersion-sensitive diffractometry of imperfect crystals is developed. It allows analysing the differential and integral scattering patterns for any effective thicknesses of the crystal. Parameter characterizing the effect of the abnormal increase of the relative contribution of diffuse scattering is introduced. The proposed theoretical model can provide a solution to the multiparametric inverse problem of recovering the characteristics of complex defect structures within the single crystals used in current nanotechnologies. 2015 Article Дисперсионная чувствительность картины рассеянияк дефектам в зависимости от толщины кристаллическихизделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель / В.В. Лизунов, Е.В. Кочелаб, Е.С. Скакунова, Е.Г. Лень, В.Б. Молодкин, С.И. Олиховский, Н.Г. Толмачёв, Б.В. Шелудченко, С.В. Лизунова, Л.Н. Скапа // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 1. — С. 99–115. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. 1816-5230 PACS numbers: 07.85.Jy, 61.05.cc, 61.05.cf, 61.05.cp, 61.46.Hk, 61.72.Dd, 81.07.Bc http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87981 ru Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Построена обобщённая модель дисперсионно чувствительной дифрактометрии неидеальных кристаллов, позволяющая проводить анализ дифференциальных и интегральных картин рассеяния для произвольных эффективных толщин кристалла. Введён параметр, характеризующий эффект аномального роста относительного вклада диффузного рассеяния. Предложенная теоретическая модель может обеспечить решение обратной многопараметрической задачи восстановления характеристик сложных дефектных структур в монокристаллах, применяемых в современных нанотехнологиях. |
| format |
Article |
| author |
Лизунов, В.В. Кочелаб, Е.В. Скакунова, Е.С. Лень, Е.Г. Молодкин, В.Б. Олиховский, С.И. Толмачёв, Н.Г. Шелудченко, Б.В. Лизунова, С.В. Скапа, Л.Н. |
| spellingShingle |
Лизунов, В.В. Кочелаб, Е.В. Скакунова, Е.С. Лень, Е.Г. Молодкин, В.Б. Олиховский, С.И. Толмачёв, Н.Г. Шелудченко, Б.В. Лизунова, С.В. Скапа, Л.Н. Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| author_facet |
Лизунов, В.В. Кочелаб, Е.В. Скакунова, Е.С. Лень, Е.Г. Молодкин, В.Б. Олиховский, С.И. Толмачёв, Н.Г. Шелудченко, Б.В. Лизунова, С.В. Скапа, Л.Н. |
| author_sort |
Лизунов, В.В. |
| title |
Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель |
| title_short |
Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель |
| title_full |
Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель |
| title_fullStr |
Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель |
| title_full_unstemmed |
Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель |
| title_sort |
дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. i. теоретическая модель |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| publishDate |
2015 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87981 |
| citation_txt |
Дисперсионная чувствительность картины рассеянияк дефектам в зависимости от толщины кристаллическихизделий нанотехнологий. I. Теоретическая модель / В.В. Лизунов, Е.В. Кочелаб, Е.С. Скакунова, Е.Г. Лень, В.Б. Молодкин, С.И. Олиховский, Н.Г. Толмачёв, Б.В. Шелудченко, С.В. Лизунова, Л.Н. Скапа // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 1. — С. 99–115. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
| series |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| work_keys_str_mv |
AT lizunovvv dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdelijnanotehnologijiteoretičeskaâmodelʹ AT kočelabev dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdelijnanotehnologijiteoretičeskaâmodelʹ AT skakunovaes dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdelijnanotehnologijiteoretičeskaâmodelʹ AT lenʹeg dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdelijnanotehnologijiteoretičeskaâmodelʹ AT molodkinvb dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdelijnanotehnologijiteoretičeskaâmodelʹ AT olihovskijsi dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdelijnanotehnologijiteoretičeskaâmodelʹ AT tolmačëvng dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdelijnanotehnologijiteoretičeskaâmodelʹ AT šeludčenkobv dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdelijnanotehnologijiteoretičeskaâmodelʹ AT lizunovasv dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdelijnanotehnologijiteoretičeskaâmodelʹ AT skapaln dispersionnaâčuvstvitelʹnostʹkartinyrasseâniâkdefektamvzavisimostiottolŝinykristalličeskihizdelijnanotehnologijiteoretičeskaâmodelʹ |
| first_indexed |
2023-10-18T19:36:41Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:36:41Z |
| _version_ |
1796147431277068288 |