Конфіґураційні ефекти в електропровідності графенового шару з розподіленими адсорбованими атомами (K)
Виявлено, що зі зміною випадкового на корельований або впорядкований просторові розподіли адатомів над графеновим шаром відбувається підвищення графенової електропровідности в декілька (десятки) разів. За випадкового розподілу адатомів, притягальних щодо вільних носіїв заряду, вони проявляють себе я...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87987 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Конфіґураційні ефекти в електропровідності графенового шару з розподіленими адсорбованими атомами (K) / Т.М. Радченко, В.А. Татаренко, І.Ю. Сагалянов, Ю.І. Прилуцький // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 2. — С. 201–214. — Бібліогр.: 32 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Виявлено, що зі зміною випадкового на корельований або впорядкований просторові розподіли адатомів над графеновим шаром відбувається підвищення графенової електропровідности в декілька (десятки) разів. За випадкового розподілу адатомів, притягальних щодо вільних носіїв заряду, вони проявляють себе як далекочинні розсіювальні центри, а короткодія їх як притягальних розсіювальних центрів домінує за їхнього близького чи далекого порядків. Показано, що при впорядкованому розташуванні домішкових атомів (наприклад, K) безпосередньо над вузлами графенової ґратниці-адсорбенту відкривається заборонена зона в її енергетичному спектрі електронів, яка розширюється з підвищенням концентрації таких адатомів. |
|---|