Влияние молекул CO, адсорбированных на межфазной поверхности и растворенных в расплаве, на образование микропузырьков и скорость выращивания сапфира

При выращивании сапфира без концентрационного охлаждения расплава в результате диффузионного выделения из сапфира растворенных атомов углерода и матричных атомов кислорода и их рекомбинации на гладкой межфазной поверхности концентрация образующихся адсорбированных молекул СО увеличивается до макс...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Катрич, Н.П., Будников, А.Т., Кривоногов, С.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
Назва видання:Вопросы атомной науки и техники
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/90771
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние молекул CO, адсорбированных на межфазной поверхности и растворенных в расплаве, на образование микропузырьков и скорость выращивания сапфира / Н.П. Катрич, А.Т. Будников, С.И. Кривоногов // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 6. — С. 184-188. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:При выращивании сапфира без концентрационного охлаждения расплава в результате диффузионного выделения из сапфира растворенных атомов углерода и матричных атомов кислорода и их рекомбинации на гладкой межфазной поверхности концентрация образующихся адсорбированных молекул СО увеличивается до максимума, при котором выделение из сапфира атомов углерода прекращается. При концентрационном переохлаждении расплава молекулы СО диффундируют в углубления между ячейками, где образуются неизомерные поры. В процессе выращивания они преобразуются в сферические. Показано, что сапфир, выращиваемый после концентрационного переохлаждения расплава, наследует кристаллографическую ориентацию затравочного кристалла. Предлагается из сырья, очищенного от углерода, выращивать сапфир при концентрационном переохлаждении расплава, вследствие этого увеличить в несколько раз скорость выращивания.