Многократное андреевское отражение в двухмерном топологическом изоляторе
Электронный транспорт на краю двухмерного топологического изолятора между двумя сверхпроводящими электродами определяется многократными андреевскими отражениями. В работе предлагается модель такого транспорта с учетом андреевского и нормального отражений на контакте и электрон-электрон-примесного р...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2015
|
| Назва видання: | Доповіді НАН України |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/95691 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Многократное андреевское отражение в двухмерном топологическом изоляторе / С.С. Апостолов // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2015. — № 1. — С. 65-71. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Электронный транспорт на краю двухмерного топологического изолятора между двумя сверхпроводящими электродами определяется многократными андреевскими отражениями. В работе предлагается модель такого транспорта с учетом андреевского
и нормального отражений на контакте и электрон-электрон-примесного рассеяния на
краю. На основании этой модели вычисляются функции распределения и определяются
характерные особенности, возникающие в результате указанных явлений. Полученные
результаты позволяют в эксперименте определять соотношение вкладов от нормального отражения от сверхпроводящего контакта и от электрон-электрон-примесного рассеяния на краю, влияющие на квантовый электронный транспорт в топологическом изоляторе. |
|---|