Многократное андреевское отражение в двухмерном топологическом изоляторе

Многократное андреевское отражение в двухмерном топологическом изоляторе

Электронный транспорт на краю двухмерного топологического изолятора между двумя сверхпроводящими электродами определяется многократными андреевскими отражениями. В работе предлагается модель такого транспорта с учетом андреевского и нормального отражений на контакте и электрон-электрон-примесного р...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2015
Автор: Апостолов, С.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2015
Назва видання:Доповіді НАН України
Теми:
Фізика
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/95691
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Многократное андреевское отражение в двухмерном топологическом изоляторе / С.С. Апостолов // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2015. — № 1. — С. 65-71. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-95691
record_format dspace
spelling irk-123456789-956912017-11-06T20:24:11Z Многократное андреевское отражение в двухмерном топологическом изоляторе Апостолов, С.С. Фізика Электронный транспорт на краю двухмерного топологического изолятора между двумя сверхпроводящими электродами определяется многократными андреевскими отражениями. В работе предлагается модель такого транспорта с учетом андреевского и нормального отражений на контакте и электрон-электрон-примесного рассеяния на краю. На основании этой модели вычисляются функции распределения и определяются характерные особенности, возникающие в результате указанных явлений. Полученные результаты позволяют в эксперименте определять соотношение вкладов от нормального отражения от сверхпроводящего контакта и от электрон-электрон-примесного рассеяния на краю, влияющие на квантовый электронный транспорт в топологическом изоляторе. Електронний транспорт на межi двовимiрного топологiчного iзолятора мiж двома надпровiдними електродами визначається багатократними андрiївськими вiдбиттями. В роботi пропонується модель такого транспорту з урахуванням андрiївського та нормального вiдображення на контактi та електрон-електрон-домiшкового розсiювання на межi. На пiдставi цiєї моделi обчислюються функцiї розподiлу i визначаються характернi особливостi, що виникають в результатi зазначених явищ. Отриманi результати дозволяють в експериментi визначати спiввiдношення вкладiв вiд нормального вiдбиття на надпровiдному контактi та вiд електрон-електрон-домiшкового розсiювання на межi, що впливають на квантовий електронний транспорт у топологiчному iзоляторi. The electronic transport at the edge of a two-dimensional topological insulator between two super- conducting electrods is determined by multiple Andreev reflections. We propose a model of such transport with regard for both Andreev and normal reflections at the contact and the electron- electron-impurity scattering at the edge. Based on this model, we calculate the distribution func- tions and define the features resulting from these phenomena. The results allow one to determine experimentally the ratio of the contributions of the normal reflection from the superconducting contact and the electron-electron-impurity scattering on the edge affecting the quantum electron transport in a topological insulator. 2015 Article Многократное андреевское отражение в двухмерном топологическом изоляторе / С.С. Апостолов // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2015. — № 1. — С. 65-71. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/95691 537.9 ru Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Фізика
Фізика
spellingShingle Фізика
Фізика
Апостолов, С.С.
Многократное андреевское отражение в двухмерном топологическом изоляторе
Доповіді НАН України
description Электронный транспорт на краю двухмерного топологического изолятора между двумя сверхпроводящими электродами определяется многократными андреевскими отражениями. В работе предлагается модель такого транспорта с учетом андреевского и нормального отражений на контакте и электрон-электрон-примесного рассеяния на краю. На основании этой модели вычисляются функции распределения и определяются характерные особенности, возникающие в результате указанных явлений. Полученные результаты позволяют в эксперименте определять соотношение вкладов от нормального отражения от сверхпроводящего контакта и от электрон-электрон-примесного рассеяния на краю, влияющие на квантовый электронный транспорт в топологическом изоляторе.
format Article
author Апостолов, С.С.
author_facet Апостолов, С.С.
author_sort Апостолов, С.С.
title Многократное андреевское отражение в двухмерном топологическом изоляторе
title_short Многократное андреевское отражение в двухмерном топологическом изоляторе
title_full Многократное андреевское отражение в двухмерном топологическом изоляторе
title_fullStr Многократное андреевское отражение в двухмерном топологическом изоляторе
title_full_unstemmed Многократное андреевское отражение в двухмерном топологическом изоляторе
title_sort многократное андреевское отражение в двухмерном топологическом изоляторе
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
publishDate 2015
topic_facet Фізика
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/95691
citation_txt Многократное андреевское отражение в двухмерном топологическом изоляторе / С.С. Апостолов // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2015. — № 1. — С. 65-71. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
series Доповіді НАН України
work_keys_str_mv AT apostolovss mnogokratnoeandreevskoeotraženievdvuhmernomtopologičeskomizolâtore
first_indexed 2023-10-18T19:53:44Z
last_indexed 2023-10-18T19:53:44Z
_version_ 1796148204680511488

Схожі ресурси