Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки

Приведены экспериментальные и расчетные данные о рафинировании монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки (ЭЛБЗП). Показано, что с помощью ЭЛБЗП удается снизить концентрацию кислорода на два порядка, фосфора – на полтора, по сравнению с исходным...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автори: Аснис, Е.А., Лесной, А.Б., Пискун, Н.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України 2011
Назва видання:Современная электрометаллургия
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96264
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки / Е.А. Аснис, А.Б. Лесной, Н.В. Пискун // Современная электрометаллургия. — 2011. — № 3 (104). — С. 17-20. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-96264
record_format dspace
spelling irk-123456789-962642016-03-14T03:02:04Z Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки Аснис, Е.А. Лесной, А.Б. Пискун, Н.В. Электронно-лучевые процессы Приведены экспериментальные и расчетные данные о рафинировании монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки (ЭЛБЗП). Показано, что с помощью ЭЛБЗП удается снизить концентрацию кислорода на два порядка, фосфора – на полтора, по сравнению с исходным материалом, полученным по методу Чохральского. С помощью вычислительного эксперимента исследованы закономерности формирования концентрационного состояния получаемого монокристалла. Показано, что основными факторами, определяющими показатели рафинирования, являются процессы испарения и дегазации в вакуум. Experimental and design data about refining of silicon single crystals in their growing by the method of electron beam crucibleless zonal melting are presented. It is shown that with use of this method it is possible to reduce the oxygen concentration by two orders, phosphorus - by one and a half orders as compared with that of an initial material, produced by the Czochralski method. Using the computational experiment the regularities of formation of concentrated state of single crystal being produced were investigated. It is shown that the main factors determining the refining characteristics are the processes of evaporation and degassing in vacuum. 2011 Article Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки / Е.А. Аснис, А.Б. Лесной, Н.В. Пискун // Современная электрометаллургия. — 2011. — № 3 (104). — С. 17-20. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 0233-7681 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96264 669.187.826 ru Современная электрометаллургия Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Электронно-лучевые процессы
Электронно-лучевые процессы
spellingShingle Электронно-лучевые процессы
Электронно-лучевые процессы
Аснис, Е.А.
Лесной, А.Б.
Пискун, Н.В.
Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки
Современная электрометаллургия
description Приведены экспериментальные и расчетные данные о рафинировании монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки (ЭЛБЗП). Показано, что с помощью ЭЛБЗП удается снизить концентрацию кислорода на два порядка, фосфора – на полтора, по сравнению с исходным материалом, полученным по методу Чохральского. С помощью вычислительного эксперимента исследованы закономерности формирования концентрационного состояния получаемого монокристалла. Показано, что основными факторами, определяющими показатели рафинирования, являются процессы испарения и дегазации в вакуум.
format Article
author Аснис, Е.А.
Лесной, А.Б.
Пискун, Н.В.
author_facet Аснис, Е.А.
Лесной, А.Б.
Пискун, Н.В.
author_sort Аснис, Е.А.
title Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки
title_short Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки
title_full Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки
title_fullStr Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки
title_full_unstemmed Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки
title_sort рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки
publisher Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
publishDate 2011
topic_facet Электронно-лучевые процессы
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96264
citation_txt Рафинирование монокристаллов кремния при выращивании их способом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки / Е.А. Аснис, А.Б. Лесной, Н.В. Пискун // Современная электрометаллургия. — 2011. — № 3 (104). — С. 17-20. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
series Современная электрометаллургия
work_keys_str_mv AT asnisea rafinirovaniemonokristallovkremniâprivyraŝivaniiihsposobomélektronnolučevojbestigelʹnojzonnojplavki
AT lesnojab rafinirovaniemonokristallovkremniâprivyraŝivaniiihsposobomélektronnolučevojbestigelʹnojzonnojplavki
AT piskunnv rafinirovaniemonokristallovkremniâprivyraŝivaniiihsposobomélektronnolučevojbestigelʹnojzonnojplavki
first_indexed 2023-10-18T19:54:57Z
last_indexed 2023-10-18T19:54:57Z
_version_ 1796148259332292608