Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации

Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации

Приводятся результаты исследований морфологической структуры островковых систем, сформировавшихся в результате плавления-кристаллизации конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi эвтектического состава толщиной 2…70 нм на углеродной подложке. Обнаружена немонотонная зависимость коэффициента заполнения п...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Дата:2009
Автори: Гладких, Н.Т., Крышталь, А.П., Сухов, Р.В., Чепурная, Л.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
Назва видання:Вопросы атомной науки и техники
Теми:
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96393
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации / Н.Т. Гладких, А.П. Крышталь, Р.В. Сухов, Л.Н.Чепурная // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 293-297. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-96393
record_format dspace
spelling irk-123456789-963932016-03-20T18:28:05Z Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации Гладких, Н.Т. Крышталь, А.П. Сухов, Р.В. Чепурная, Л.Н. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Приводятся результаты исследований морфологической структуры островковых систем, сформировавшихся в результате плавления-кристаллизации конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi эвтектического состава толщиной 2…70 нм на углеродной подложке. Обнаружена немонотонная зависимость коэффициента заполнения подложки при изменении массовой толщины пленок после их плавления и кристаллизации. Определен интервал толщин пленок, при плавлении которых формируются островковые системы с достаточно узким распределением частиц по размерам. Наведено результати досліджень морфологічної структури острівцевих систем, що формуються в результаті плавлення-кристалізації конденсованих плівок Sn, Bi та Sn-Bi евтектичного складу товщиною 2…70 нм на вуглецевій підкладці. Виявлена немонотонна залежність коефіцієнту заповнення підкладки при зміні масової товщини плівок після їх плавлення та кристалізації. Визначений інтервал товщини плівок, при плавленні яких формуються острівцеві системи з досить вузьким розподілом частинок за розміром. The results of studies of morphological structure of island system formed during melting-crystallization of Sn, Bi and eutectic composition Sn-Bi condensed films of 2…70 nm thickness on the carbon substrate have been presented. Non-monotone dependence of the substrate fill factor has been exposed at the variation of film mass thickness after their melting and crystallization. It was determined the interval of film thicknesses, at melting of which the island systems with the narrow distribution of particles over sizes are formed. 2009 Article Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации / Н.Т. Гладких, А.П. Крышталь, Р.В. Сухов, Л.Н.Чепурная // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 293-297. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96393 538.975 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
spellingShingle Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Гладких, Н.Т.
Крышталь, А.П.
Сухов, Р.В.
Чепурная, Л.Н.
Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации
Вопросы атомной науки и техники
description Приводятся результаты исследований морфологической структуры островковых систем, сформировавшихся в результате плавления-кристаллизации конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi эвтектического состава толщиной 2…70 нм на углеродной подложке. Обнаружена немонотонная зависимость коэффициента заполнения подложки при изменении массовой толщины пленок после их плавления и кристаллизации. Определен интервал толщин пленок, при плавлении которых формируются островковые системы с достаточно узким распределением частиц по размерам.
format Article
author Гладких, Н.Т.
Крышталь, А.П.
Сухов, Р.В.
Чепурная, Л.Н.
author_facet Гладких, Н.Т.
Крышталь, А.П.
Сухов, Р.В.
Чепурная, Л.Н.
author_sort Гладких, Н.Т.
title Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации
title_short Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации
title_full Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации
title_fullStr Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации
title_full_unstemmed Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации
title_sort изменение морфологической структуры конденсированных пленок sn, bi и sn-bi на с-подложке при плавлении ↔ кристаллизации
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate 2009
topic_facet Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96393
citation_txt Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации / Н.Т. Гладких, А.П. Крышталь, Р.В. Сухов, Л.Н.Чепурная // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 293-297. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv AT gladkihnt izmeneniemorfologičeskojstrukturykondensirovannyhplenoksnbiisnbinaspodložkepriplavleniikristallizacii
AT kryštalʹap izmeneniemorfologičeskojstrukturykondensirovannyhplenoksnbiisnbinaspodložkepriplavleniikristallizacii
AT suhovrv izmeneniemorfologičeskojstrukturykondensirovannyhplenoksnbiisnbinaspodložkepriplavleniikristallizacii
AT čepurnaâln izmeneniemorfologičeskojstrukturykondensirovannyhplenoksnbiisnbinaspodložkepriplavleniikristallizacii
first_indexed 2023-10-18T19:55:14Z
last_indexed 2023-10-18T19:55:14Z
_version_ 1796148271767355392

Схожі ресурси