2025-02-22T09:54:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-96509%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-22T09:54:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-96509%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-22T09:54:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK

2025-02-22T09:54:05-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon

Quantum structures with enhanced electric conductivity have been formed in a single-crystal silicon matrix. An array of quantum filaments improves the collection of low-mobility charge carriers in the emitter structure of the c−Si(p, n) photoconverter. Experimental results of applying radiation te...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Authors:	Dovbnya, A.N., Yefimov, V.P., Abyzov, A.S., Rybka, A.V., Zakutin, V.V., Reshetnyak, N.G., Blinkin, A.A., Romas’ko, V.P.
Format:	Article
Language:	English
Published:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
Series:	Вопросы атомной науки и техники
Subjects:	Ядернo-физические методы и обработка данных
Online Access:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96509
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

id	irk-123456789-96509
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-965092016-03-18T03:02:28Z Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P. Ядернo-физические методы и обработка данных Quantum structures with enhanced electric conductivity have been formed in a single-crystal silicon matrix. An array of quantum filaments improves the collection of low-mobility charge carriers in the emitter structure of the c−Si(p, n) photoconverter. Experimental results of applying radiation technologies for creation of that sort of structures are presented. Сформованi в монокристалiчнiй матрицi кремнiю квантовi структури з пiдвищеною питомою електричною провiднiстю. Масив квантових ниток покращує виведення носiїв заряду з малою рухливiстю з об’єму емiтерної структури c−Si(p, n) -фотопреобразователя. Приведено експериментальнi результати застосування радiацiйних технологiй для створення таких структур. Сформированы в монокристаллической матрице кремния квантовые структуры с повышенной удельной электрической проводимостью. Массив квантовых нитей улучшает выведение носителей заряда с малой подвижностью из объема эмиттерной структуры c − Si(p, n)-фотопреобразователя. Приведены экспериментальные результаты применения радиационных технологий для создания таких структур. 2009 Article Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, V.V. Zakutin, N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 03.65.Pm, 03.65.Ge, 61.80.Mk http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96509 en Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	English
topic	Ядернo-физические методы и обработка данных Ядернo-физические методы и обработка данных
spellingShingle	Ядернo-физические методы и обработка данных Ядернo-физические методы и обработка данных Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P. Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon Вопросы атомной науки и техники
description	Quantum structures with enhanced electric conductivity have been formed in a single-crystal silicon matrix. An array of quantum filaments improves the collection of low-mobility charge carriers in the emitter structure of the c−Si(p, n) photoconverter. Experimental results of applying radiation technologies for creation of that sort of structures are presented.
format	Article
author	Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P.
author_facet	Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P.
author_sort	Dovbnya, A.N.
title	Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
title_short	Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
title_full	Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
title_fullStr	Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
title_full_unstemmed	Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
title_sort	procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon
publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate	2009
topic_facet	Ядернo-физические методы и обработка данных
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96509
citation_txt	Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, V.V. Zakutin, N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.
series	Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv	AT dovbnyaan procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon AT yefimovvp procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon AT abyzovas procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon AT rybkaav procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon AT zakutinvv procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon AT reshetnyakng procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon AT blinkinaa procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon AT romaskovp procedureofnanodimensionalamorphousmicrocrystallinestructureformationbyradiationinsinglecrystalsilicon
first_indexed	2023-10-18T19:55:28Z
last_indexed	2023-10-18T19:55:28Z
_version_	1796148282535182336

Procedure of nanodimensional amorphous-microcrystalline structure formation by radiation in single crystal silicon

Similar Items