Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters

The paper considers the possibilities of stabilization of microstructures created in the latent tracks in single-crystalline silicon by multicharged ions from the nuclear fragments formed as a result of heavy element photofission in the process of hydrogenating. The presence of hydrogen in the amo...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2009
Автори:	Dovbnya, A.N., Yefimov, V.P., Abyzov, A.S., Rybka, A.V., Bereznyak, E.P., Zakutin, V.V., Reshetnyak, N.G., Blinkin, A.A., Romas’ko, V.P., Gabelkov, S.V., Tarasov, R.V.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
Назва видання:	Вопросы атомной науки и техники
Теми:	Ядернo-физические методы и обработка данных
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96510
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, E.P.Bereznyak, V.V. Zakutin, N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko, S.V.Gabelkov, R.V.Tarasov, // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 75-80. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-96510
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-965102016-03-18T03:02:34Z Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Bereznyak, E.P. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P. Gabelkov, S.V. Tarasov, R.V. Ядернo-физические методы и обработка данных The paper considers the possibilities of stabilization of microstructures created in the latent tracks in single-crystalline silicon by multicharged ions from the nuclear fragments formed as a result of heavy element photofission in the process of hydrogenating. The presence of hydrogen in the amorphous silicon structures leads to the clustering of vacancies, intrinsic interstitial and impurity atoms. For quantum structures, passivated with hydrogen atoms, the annihilation process is slowed down. In the process of annealing the silicon structures the strong (Si − H)n-bonds prevent the defect annihilation and thus stimulate the processes of precipitation and clusterization. Hydrogen, filling the irradiation-broken bonds, neutralizes their electrical activity. Optimal conditions for stabilisation of such structures are determined: irradiation doses, methods of hydrogenation and dissociation of H2, annealing parameters. Розглядаються можливостi стабiлiзацiї мiкроструктур, створюваних в прихованих треках в монокристалiчному кремнiї багатозарядними iонами з осколкiв ядер важких елементiв при їх фотодiленнi, в процесi гiдрування. Присутнiсть водню в аморфних структурах кремнiю приводить до кластеризацiї вакансiй, власних мiжвузельних i домiшкових атомiв. Для квантових структур, пасивованих атомами водню, процес анiгiляцiї загальмований. При вiдпалi кремнiєвих структур мiцнi (Si − H)n-зв’язки перешкоджають анiгiляцiї дефектiв i тим самим стимулюють процеси преципiтацiї i кластеризацiї. Водень, заповнюючи обiрванi в результатi опромiнювання зв’язки, нейтралiзує їх електричну активнiсть. Визначено оптимальнi умови створення таких структур: дози опромiнювання, методи гiдрування та дисоцiацiї H2, режими вiдпалу. Рассматриваются возможности стабилизации микроструктур, создаваемых в скрытых треках в моно-кристаллическом кремнии многозарядными ионами из осколков ядер тяжелых элементов при их фото- делении, в процессе гидрирования. Присутствие водорода в аморфных структурах кремния приводит к кластеризации вакансий, собственных межузельных и примесных атомов. Для квантовых структур, пассивированных атомами водорода, процесс аннигиляции заторможен. При отжиге кремниевых структур прочные (Si − H)n-связи препятствуют аннигиляции дефектов и тем самым стимулируют процессы преципитации и кластеризации. Водород, заполняя оборванные в результате облучения связи, нейтрализует их электрическую активность. Определены оптимальные условия создания таких структур: дозы облучения, методы гидрирования и диссоциации H2, режимы отжига. 2009 Article Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, E.P.Bereznyak, V.V. Zakutin, N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko, S.V.Gabelkov, R.V.Tarasov, // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 75-80. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 03.65.Pm, 03.65.Ge, 61.80.Mk http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96510 en Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	English
topic	Ядернo-физические методы и обработка данных Ядернo-физические методы и обработка данных
spellingShingle	Ядернo-физические методы и обработка данных Ядернo-физические методы и обработка данных Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Bereznyak, E.P. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P. Gabelkov, S.V. Tarasov, R.V. Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters Вопросы атомной науки и техники
description	The paper considers the possibilities of stabilization of microstructures created in the latent tracks in single-crystalline silicon by multicharged ions from the nuclear fragments formed as a result of heavy element photofission in the process of hydrogenating. The presence of hydrogen in the amorphous silicon structures leads to the clustering of vacancies, intrinsic interstitial and impurity atoms. For quantum structures, passivated with hydrogen atoms, the annihilation process is slowed down. In the process of annealing the silicon structures the strong (Si − H)n-bonds prevent the defect annihilation and thus stimulate the processes of precipitation and clusterization. Hydrogen, filling the irradiation-broken bonds, neutralizes their electrical activity. Optimal conditions for stabilisation of such structures are determined: irradiation doses, methods of hydrogenation and dissociation of H2, annealing parameters.
format	Article
author	Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Bereznyak, E.P. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P. Gabelkov, S.V. Tarasov, R.V.
author_facet	Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Bereznyak, E.P. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P. Gabelkov, S.V. Tarasov, R.V.
author_sort	Dovbnya, A.N.
title	Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
title_short	Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
title_full	Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
title_fullStr	Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
title_full_unstemmed	Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
title_sort	stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate	2009
topic_facet	Ядернo-физические методы и обработка данных
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96510
citation_txt	Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, E.P.Bereznyak, V.V. Zakutin, N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko, S.V.Gabelkov, R.V.Tarasov, // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 75-80. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
series	Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv	AT dovbnyaan stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT yefimovvp stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT abyzovas stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT rybkaav stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT bereznyakep stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT zakutinvv stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT reshetnyakng stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT blinkinaa stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT romaskovp stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT gabelkovsv stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT tarasovrv stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters
first_indexed	2023-10-18T19:55:29Z
last_indexed	2023-10-18T19:55:29Z
_version_	1796148282642137088

Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters

Репозитарії

Схожі ресурси