Электронно-лучевая очистка кристаллического кремния

• Дата: 2013
• Автор: Березос, В.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України 2013
• Назва видання: Современная электрометаллургия
• Теми: Электронно-лучевые процессы
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96699
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Электронно-лучевая очистка кристаллического кремния / В.А. Березос // Современная электрометаллургия. — 2013. — № 3 (112). — С. 19-23. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Показано, что электронно-лучевая очистка может быть эффективным способом рафинирования кремния от примесей. Разработана схема очистки кристаллического кремния с использованием электронно-лучевой плавки, сочетающей в себе три этапа рафинирования по механизмам вакуумного и окислительного рафинирования, а также зонную перекристаллизацию. Спроектирована кварцевая промежуточная емкость специальной конструкции, позволяющая существенно улучшать условия проведения очистки расплава кремния. Определены оптимальные параметры электронно-лучевой очистки кристаллического кремния в процессе ЭЛП. Показано, что увеличение длительности выдержки положительно влияет на улучшение электрофизических характеристик кристаллического кремния, однако ее превышение более 40 мин не имеет смысла, поскольку дальнейшее снижение удельного электросопротивления не происходит. В результате проведенных экспериментов по очистке кристаллического кремния удалось увеличить его удельное электросопротивление в шесть раз - от 0,03 до 0,175 Омрсм.