Электронно-лучевая очистка кристаллического кремния

Электронно-лучевая очистка кристаллического кремния

Показано, что электронно-лучевая очистка может быть эффективным способом рафинирования кремния от примесей. Разработана схема очистки кристаллического кремния с использованием электронно-лучевой плавки, сочетающей в себе три этапа рафинирования по механизмам вакуумного и окислительного рафинирования...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
Дата:2013
Автор: Березос, В.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України 2013
Назва видання:Современная электрометаллургия
Теми:
Электронно-лучевые процессы
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96699
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Электронно-лучевая очистка кристаллического кремния / В.А. Березос // Современная электрометаллургия. — 2013. — № 3 (112). — С. 19-23. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-96699
record_format dspace
spelling irk-123456789-966992016-03-20T03:02:24Z Электронно-лучевая очистка кристаллического кремния Березос, В.А. Электронно-лучевые процессы Показано, что электронно-лучевая очистка может быть эффективным способом рафинирования кремния от примесей. Разработана схема очистки кристаллического кремния с использованием электронно-лучевой плавки, сочетающей в себе три этапа рафинирования по механизмам вакуумного и окислительного рафинирования, а также зонную перекристаллизацию. Спроектирована кварцевая промежуточная емкость специальной конструкции, позволяющая существенно улучшать условия проведения очистки расплава кремния. Определены оптимальные параметры электронно-лучевой очистки кристаллического кремния в процессе ЭЛП. Показано, что увеличение длительности выдержки положительно влияет на улучшение электрофизических характеристик кристаллического кремния, однако ее превышение более 40 мин не имеет смысла, поскольку дальнейшее снижение удельного электросопротивления не происходит. В результате проведенных экспериментов по очистке кристаллического кремния удалось увеличить его удельное электросопротивление в шесть раз - от 0,03 до 0,175 Омрсм. It is shown that electron beam purification can be an effective method of silicon refining from impurities. Scheme of purification of crystalline silicon has been developed using electron beam melting, combining three stages of refining by mechanisms of vacuum and oxidizing refining, as well as a zonal recrystallization. A quartz intermediate crucible was specially designed, allowing improving greatly the conditions of purification of silicon melt. Optimum parameters of electron beam purification of crystalline silicon in the EBR were defined. It is shown that increase in holding duration has a positive effect on improvement of electro-physical characteristics of crystalline silicon, however, its duration for more than 40 min has no sense as the further decrease of specific electric resistance does not occur. As a result of carried out experiments on purification of crystalline silicon it was managed to 6 times increase its specific electric resistance, i.e. from 0.03 up to 0.175 Ohm.cm. 2013 Article Электронно-лучевая очистка кристаллического кремния / В.А. Березос // Современная электрометаллургия. — 2013. — № 3 (112). — С. 19-23. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0233-7681 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96699 669.187.526:51.001.57 ru Современная электрометаллургия Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Электронно-лучевые процессы
Электронно-лучевые процессы
spellingShingle Электронно-лучевые процессы
Электронно-лучевые процессы
Березос, В.А.
Электронно-лучевая очистка кристаллического кремния
Современная электрометаллургия
description Показано, что электронно-лучевая очистка может быть эффективным способом рафинирования кремния от примесей. Разработана схема очистки кристаллического кремния с использованием электронно-лучевой плавки, сочетающей в себе три этапа рафинирования по механизмам вакуумного и окислительного рафинирования, а также зонную перекристаллизацию. Спроектирована кварцевая промежуточная емкость специальной конструкции, позволяющая существенно улучшать условия проведения очистки расплава кремния. Определены оптимальные параметры электронно-лучевой очистки кристаллического кремния в процессе ЭЛП. Показано, что увеличение длительности выдержки положительно влияет на улучшение электрофизических характеристик кристаллического кремния, однако ее превышение более 40 мин не имеет смысла, поскольку дальнейшее снижение удельного электросопротивления не происходит. В результате проведенных экспериментов по очистке кристаллического кремния удалось увеличить его удельное электросопротивление в шесть раз - от 0,03 до 0,175 Омрсм.
format Article
author Березос, В.А.
author_facet Березос, В.А.
author_sort Березос, В.А.
title Электронно-лучевая очистка кристаллического кремния
title_short Электронно-лучевая очистка кристаллического кремния
title_full Электронно-лучевая очистка кристаллического кремния
title_fullStr Электронно-лучевая очистка кристаллического кремния
title_full_unstemmed Электронно-лучевая очистка кристаллического кремния
title_sort электронно-лучевая очистка кристаллического кремния
publisher Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
publishDate 2013
topic_facet Электронно-лучевые процессы
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96699
citation_txt Электронно-лучевая очистка кристаллического кремния / В.А. Березос // Современная электрометаллургия. — 2013. — № 3 (112). — С. 19-23. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
series Современная электрометаллургия
work_keys_str_mv AT berezosva élektronnolučevaâočistkakristalličeskogokremniâ
first_indexed 2023-10-18T19:55:54Z
last_indexed 2023-10-18T19:55:54Z
_version_ 1796148302145650688

Схожі ресурси