Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом

• Дата: 2014
• Автори: Шаповалов, В.А., Якуша, В.В., Никитенко, Ю.А., Долиненко, В.В., Гниздыло, А.Н., Жолудь, В.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України 2014
• Назва видання: Современная электрометаллургия
• Теми: Плазменно-дуговая технология
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96900
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом / В.А. Шаповалов, В.В. Якуша, Ю.А. Никитенко, В.В. Долиненко, А.Н. Гниздыло, В.В. Жолудь // Современная электрометаллургия. — 2014. — № 3 (116). — С. 31-35. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Рассмотрен вопрос экспериментального исследования температурного поля в профилированном монокристалле вольфрама при плазменно-индукционном способе выращивания. На основании данных прямых измерений температур в кристалле с помощью термопар ВР 5/20 выполнен анализ температурных градиентов в его объеме. Показано, что при данном способе выращивание монокристалла проходит в условиях практически плоского фронта кристаллизации, и термонапряженное состояние профилированного кристалла в основном определяется значением градиентов температур вдоль его ширины и высоты. Установлено, что максимальное значение температурных градиентов составляет соответственно 36 и 90 °С/мм, а зона их максимума сосредоточена вблизи фронта кристаллизации. Выявлено, что индукционный нагрев боковой поверхности монокристалла способствует уменьшению уровня температурных градиентов в его объеме. На расстоянии двух толщин кристалла от его верхнего торца формирование структуры монокристалла в твердой фазе происходит при постоянном градиенте температур. Выполнен сравнительный анализ пространственного распределения градиентов температур монокристаллов плазменно-дугового и плазменно-индукционного способов плавки. Экспериментально подтверждено, что плазменно-индукционный процесс формирования крупного профилированного монокристалла сопровождается меньшими (на 10...15 °С/мм) значениями градиентов температур в большей части его объема по сравнению с плазменно-дуговым процессом формирования цилиндрического кристалла диаметром 30 мм.