Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом

Рассмотрен вопрос экспериментального исследования температурного поля в профилированном монокристалле вольфрама при плазменно-индукционном способе выращивания. На основании данных прямых измерений температур в кристалле с помощью термопар ВР 5/20 выполнен анализ температурных градиентов в его объеме...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2014
Автори:	Шаповалов, В.А., Якуша, В.В., Никитенко, Ю.А., Долиненко, В.В., Гниздыло, А.Н., Жолудь, В.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України 2014
Назва видання:	Современная электрометаллургия
Теми:	Плазменно-дуговая технология
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96900
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом / В.А. Шаповалов, В.В. Якуша, Ю.А. Никитенко, В.В. Долиненко, А.Н. Гниздыло, В.В. Жолудь // Современная электрометаллургия. — 2014. — № 3 (116). — С. 31-35. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-96900
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-969002016-03-23T03:02:09Z Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом Шаповалов, В.А. Якуша, В.В. Никитенко, Ю.А. Долиненко, В.В. Гниздыло, А.Н. Жолудь, В.В. Плазменно-дуговая технология Рассмотрен вопрос экспериментального исследования температурного поля в профилированном монокристалле вольфрама при плазменно-индукционном способе выращивания. На основании данных прямых измерений температур в кристалле с помощью термопар ВР 5/20 выполнен анализ температурных градиентов в его объеме. Показано, что при данном способе выращивание монокристалла проходит в условиях практически плоского фронта кристаллизации, и термонапряженное состояние профилированного кристалла в основном определяется значением градиентов температур вдоль его ширины и высоты. Установлено, что максимальное значение температурных градиентов составляет соответственно 36 и 90 °С/мм, а зона их максимума сосредоточена вблизи фронта кристаллизации. Выявлено, что индукционный нагрев боковой поверхности монокристалла способствует уменьшению уровня температурных градиентов в его объеме. На расстоянии двух толщин кристалла от его верхнего торца формирование структуры монокристалла в твердой фазе происходит при постоянном градиенте температур. Выполнен сравнительный анализ пространственного распределения градиентов температур монокристаллов плазменно-дугового и плазменно-индукционного способов плавки. Экспериментально подтверждено, что плазменно-индукционный процесс формирования крупного профилированного монокристалла сопровождается меньшими (на 10...15 °С/мм) значениями градиентов температур в большей части его объема по сравнению с плазменно-дуговым процессом формирования цилиндрического кристалла диаметром 30 мм. The paper deals with experimental study of temperature field in a profiled tungsten single-crystal at plasma-induction growth method. Analysis of temperature gradients in the crystal volume was performed proceeding from the data of direct measurements of temperatures in the crystal with BP 5/20 thermocouples. It is shown that with this method single-crystal growing proceeds under the conditions of practically plane solidification front, and thermostressed state of profiled single-crystal is mainly determined by the value of temperature gradients along its width and height. It is established that the maximum value of temperature gradients is equal to 36 and 90 °C/mm, respectively, and the zone of their maximum is concentrated near the solidification front. It is found that induction heating of single-crystal side surface promotes lowering of the level of temperature gradients in its volume. At the distance of two crystal thicknesses from its upper face formation of single-crystal structure in the solid phase proceeds at a constant temperature gradient. Comparative analysis of spatial distribution of temperature gradients in single-crystals of plasma-arc and plasma-induction melting processes was performed. It is experimentally confirmed that plasma-induction process of forming a large profiled single-crystal is accompanied by smaller (by 10...15 °C/mm) values of temperature gradients in the greater part of its volume, compared to plasma-arc process of formation of a cylindrical crystal of 30 mm diameter. 2014 Article Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом / В.А. Шаповалов, В.В. Якуша, Ю.А. Никитенко, В.В. Долиненко, А.Н. Гниздыло, В.В. Жолудь // Современная электрометаллургия. — 2014. — № 3 (116). — С. 31-35. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0233-7681 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96900 669.187.58 ru Современная электрометаллургия Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Плазменно-дуговая технология Плазменно-дуговая технология
spellingShingle	Плазменно-дуговая технология Плазменно-дуговая технология Шаповалов, В.А. Якуша, В.В. Никитенко, Ю.А. Долиненко, В.В. Гниздыло, А.Н. Жолудь, В.В. Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом Современная электрометаллургия
description	Рассмотрен вопрос экспериментального исследования температурного поля в профилированном монокристалле вольфрама при плазменно-индукционном способе выращивания. На основании данных прямых измерений температур в кристалле с помощью термопар ВР 5/20 выполнен анализ температурных градиентов в его объеме. Показано, что при данном способе выращивание монокристалла проходит в условиях практически плоского фронта кристаллизации, и термонапряженное состояние профилированного кристалла в основном определяется значением градиентов температур вдоль его ширины и высоты. Установлено, что максимальное значение температурных градиентов составляет соответственно 36 и 90 °С/мм, а зона их максимума сосредоточена вблизи фронта кристаллизации. Выявлено, что индукционный нагрев боковой поверхности монокристалла способствует уменьшению уровня температурных градиентов в его объеме. На расстоянии двух толщин кристалла от его верхнего торца формирование структуры монокристалла в твердой фазе происходит при постоянном градиенте температур. Выполнен сравнительный анализ пространственного распределения градиентов температур монокристаллов плазменно-дугового и плазменно-индукционного способов плавки. Экспериментально подтверждено, что плазменно-индукционный процесс формирования крупного профилированного монокристалла сопровождается меньшими (на 10...15 °С/мм) значениями градиентов температур в большей части его объема по сравнению с плазменно-дуговым процессом формирования цилиндрического кристалла диаметром 30 мм.
format	Article
author	Шаповалов, В.А. Якуша, В.В. Никитенко, Ю.А. Долиненко, В.В. Гниздыло, А.Н. Жолудь, В.В.
author_facet	Шаповалов, В.А. Якуша, В.В. Никитенко, Ю.А. Долиненко, В.В. Гниздыло, А.Н. Жолудь, В.В.
author_sort	Шаповалов, В.А.
title	Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом
title_short	Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом
title_full	Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом
title_fullStr	Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом
title_full_unstemmed	Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом
title_sort	изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом
publisher	Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
publishDate	2014
topic_facet	Плазменно-дуговая технология
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/96900
citation_txt	Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом / В.А. Шаповалов, В.В. Якуша, Ю.А. Никитенко, В.В. Долиненко, А.Н. Гниздыло, В.В. Жолудь // Современная электрометаллургия. — 2014. — № 3 (116). — С. 31-35. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
series	Современная электрометаллургия
work_keys_str_mv	AT šapovalovva izučenietemperaturnogopolâprofilirovannyhmonokristallovvolʹframapolučaemyhplazmennoindukcionnymsposobom AT âkušavv izučenietemperaturnogopolâprofilirovannyhmonokristallovvolʹframapolučaemyhplazmennoindukcionnymsposobom AT nikitenkoûa izučenietemperaturnogopolâprofilirovannyhmonokristallovvolʹframapolučaemyhplazmennoindukcionnymsposobom AT dolinenkovv izučenietemperaturnogopolâprofilirovannyhmonokristallovvolʹframapolučaemyhplazmennoindukcionnymsposobom AT gnizdyloan izučenietemperaturnogopolâprofilirovannyhmonokristallovvolʹframapolučaemyhplazmennoindukcionnymsposobom AT žoludʹvv izučenietemperaturnogopolâprofilirovannyhmonokristallovvolʹframapolučaemyhplazmennoindukcionnymsposobom
first_indexed	2023-10-18T19:56:20Z
last_indexed	2023-10-18T19:56:20Z
_version_	1796148321571569664

Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом

Репозитарії

Схожі ресурси