Рассеяние плоской Н-поляризованной электромагнитной волны бесконечно протяженным двугранным клином, сопряженным с продольно-щелевым цилиндром

Задача о рассеянии плоской Н-поляризованной электромагнитной волны идеально проводящим и бесконечно протяженным двугранным клином, ребро которого размещено на оси кругового цилиндра с продольной щелью, в строгой постановке сведена к решению системы линейных алгебраических уравнений второго рода отн...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автор: Шепилко, Е.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Радіоастрономічний інститут НАН України 2011
Назва видання:Радиофизика и радиоастрономия
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98228
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Рассеяние плоской Н-поляризованной электромагнитной волны бесконечно протяженным двугранным клином, сопряженным с продольно-щелевым цилиндром / Е.В. Шепилко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2011. — Т. 16, № 3. — С. 299-305. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Задача о рассеянии плоской Н-поляризованной электромагнитной волны идеально проводящим и бесконечно протяженным двугранным клином, ребро которого размещено на оси кругового цилиндра с продольной щелью, в строгой постановке сведена к решению системы линейных алгебраических уравнений второго рода относительно неизвестных коэффициентов фурье-разложений рассеянного поля. Показано, что при значении угла раскрыва щели, равном углу раскрыва клина, решение имеет аналитический вид. Приведены результаты вычислений поля в дальней зоне с заданной точностью. Показано, что при узком клине и узкой щели для определенных значений электрического диаметра цилиндра имеет место резкое возрастание сечения обратного рассеяния структуры. Построены диаграммы направленности рассеянного поля при различных значениях параметров структуры.