Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах

Предлагается новый метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых гетероструктурных транзисторах. Основа метода – целенаправленный выбор режима постоянного тока в ненасыщенной зоне вольт-амперных характеристик. Устойчивость, в первую очередь внеполосная, повышается без деградации...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2011
Автори: Королев, А.М., Шульга, В.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Радіоастрономічний інститут НАН України 2011
Назва видання:Радиофизика и радиоастрономия
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98240
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах / А.М. Королев, В.М. Шульга // Радиофизика и радиоастрономия. — 2011. — Т. 16, № 4. — С. 433-439. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-98240
record_format dspace
spelling irk-123456789-982402016-05-16T21:03:37Z Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах Королев, А.М. Шульга, В.М. Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения Предлагается новый метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых гетероструктурных транзисторах. Основа метода – целенаправленный выбор режима постоянного тока в ненасыщенной зоне вольт-амперных характеристик. Устойчивость, в первую очередь внеполосная, повышается без деградации шумовых характеристик. В подтверждение эффективности предложенного метода приводятся результаты исследования усилителей с различными типами транзисторов Пропонується новий метод забезпечення стійкості малошумливих підсилювачів на польових гетероструктурних транзисторах. Основа методу – цільовий вибір режиму постійного струму в ненасиченій зоні вольт-амперних характеристик. Стійкість, у першу чергу позапо- лосна, підвищується без деградації шумових характеристик. На підтвердження ефективності запропонованого методу наводяться результати досліджень підсилювачів із різними типами транзисторів. The new method to provide the stability of lownoise HEMT-based amplifiers is proposed. The method is based on a purposeful choice of the DC regime in the unsaturated (ohmic) zone of voltagecurrent characteristic. Stability, first of all that outof-band, rises without degradation of noise characteristic. In support of the offered method efficiency, the results of examination of amplifiers on different transistors are brought 2011 Article Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах / А.М. Королев, В.М. Шульга // Радиофизика и радиоастрономия. — 2011. — Т. 16, № 4. — С. 433-439. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 1027-9636 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98240 537.962: 621.382.32 ru Радиофизика и радиоастрономия Радіоастрономічний інститут НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения
Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения
spellingShingle Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения
Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения
Королев, А.М.
Шульга, В.М.
Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
Радиофизика и радиоастрономия
description Предлагается новый метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых гетероструктурных транзисторах. Основа метода – целенаправленный выбор режима постоянного тока в ненасыщенной зоне вольт-амперных характеристик. Устойчивость, в первую очередь внеполосная, повышается без деградации шумовых характеристик. В подтверждение эффективности предложенного метода приводятся результаты исследования усилителей с различными типами транзисторов
format Article
author Королев, А.М.
Шульга, В.М.
author_facet Королев, А.М.
Шульга, В.М.
author_sort Королев, А.М.
title Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
title_short Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
title_full Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
title_fullStr Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
title_full_unstemmed Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
title_sort ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
publisher Радіоастрономічний інститут НАН України
publishDate 2011
topic_facet Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98240
citation_txt Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах / А.М. Королев, В.М. Шульга // Радиофизика и радиоастрономия. — 2011. — Т. 16, № 4. — С. 433-439. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
series Радиофизика и радиоастрономия
work_keys_str_mv AT korolevam nenasyŝennyjrežimkakalʹternativnyjmetodobespečeniâustojčivostimalošumâŝihusilitelejnapolevyhtranzistornyhgeterostrukturah
AT šulʹgavm nenasyŝennyjrežimkakalʹternativnyjmetodobespečeniâustojčivostimalošumâŝihusilitelejnapolevyhtranzistornyhgeterostrukturah
first_indexed 2023-10-18T19:59:18Z
last_indexed 2024-03-30T08:45:17Z
_version_ 1796148453223432192