Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi

Приведены результаты исследований плавления и кристаллизации в слоистой пленочной системе висмут – германий, создаваемой в вакууме путем последовательной конденсации компонентов при испарении их из независимых источников. Показано, что температура плавления в указанной системе понижается с уменьш...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Дата:2004
Автори: Богатыренко, С.И., Гладких, Н.Т., Дукаров, С.В., Крышталь, А.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2004
Назва видання:Физическая инженерия поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98384
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi / С.И. Богатыренко, Н.Т. Гладких, С.В. Дукаров, А.П. Крышталь // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 32–36. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-98384
record_format dspace
spelling irk-123456789-983842016-04-14T03:02:08Z Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi Богатыренко, С.И. Гладких, Н.Т. Дукаров, С.В. Крышталь, А.П. Приведены результаты исследований плавления и кристаллизации в слоистой пленочной системе висмут – германий, создаваемой в вакууме путем последовательной конденсации компонентов при испарении их из независимых источников. Показано, что температура плавления в указанной системе понижается с уменьшением толщины пленки легкоплавкого компонента. Дифференциальный метод, исполь зованный для регистрации температуры плавления, позволил найти значение эвтектической температуры Tε = 542 K в системе Bi-Ge. Определены величина переохлаждения при кристаллизации (∆Т = 93 К) и краевой угол смачивания (θ = 68°) для островковых пленок висмута на аморфной германиевой подложке Приводяться результати досліджень плавлення і кри сталізації в шаруватій плівковій системі вісмут – гер маній, яка створюється у вакуумі шляхом послідовної конденсації компонентів при випаровуванні їх з неза лежних джерел. Показано, що температура плавлення в указаній системізнижується зізменшенням товщини плівки легкоплавкого компонента. Диференціальний метод, використаний для реєстрації температури плав лення, дозволив знайти значення евтектичної тем ператури Tε = 542 K у системі Bi-Ge. Визначено вели- чину переохолодження при кристалізації (∆Т = 93 К) та крайовий кут змочування (θ = 68°) для острівцевих плівок вісмуту на аморфній германієвій підкладці The results of studies of melting and crystallization processes in Bi-Ge layered film system are presented. These systems were prepared by subsequent condensation of components in vacuum. It has been shown that the melting temperature in system under study decreases with the decrease of Bi film thickness. The differential technique used for melting temperature registration enables us to measure the value of eutectic temperature Tε = 542 K in the system. The values of supercooling upon crystallization (∆Т = 93 К) and wetting angle (θ = 68°) have been determined for Bi islands on amorphous Ge substrate 2004 Article Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi / С.И. Богатыренко, Н.Т. Гладких, С.В. Дукаров, А.П. Крышталь // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 32–36. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98384 539.216.2:532.64 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Приведены результаты исследований плавления и кристаллизации в слоистой пленочной системе висмут – германий, создаваемой в вакууме путем последовательной конденсации компонентов при испарении их из независимых источников. Показано, что температура плавления в указанной системе понижается с уменьшением толщины пленки легкоплавкого компонента. Дифференциальный метод, исполь зованный для регистрации температуры плавления, позволил найти значение эвтектической температуры Tε = 542 K в системе Bi-Ge. Определены величина переохлаждения при кристаллизации (∆Т = 93 К) и краевой угол смачивания (θ = 68°) для островковых пленок висмута на аморфной германиевой подложке
format Article
author Богатыренко, С.И.
Гладких, Н.Т.
Дукаров, С.В.
Крышталь, А.П.
spellingShingle Богатыренко, С.И.
Гладких, Н.Т.
Дукаров, С.В.
Крышталь, А.П.
Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi
Физическая инженерия поверхности
author_facet Богатыренко, С.И.
Гладких, Н.Т.
Дукаров, С.В.
Крышталь, А.П.
author_sort Богатыренко, С.И.
title Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi
title_short Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi
title_full Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi
title_fullStr Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi
title_full_unstemmed Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi
title_sort плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе ge-bi
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2004
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98384
citation_txt Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi / С.И. Богатыренко, Н.Т. Гладких, С.В. Дукаров, А.П. Крышталь // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 32–36. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT bogatyrenkosi plavlenieikristallizaciâvsloistojplënočnojsistemegebi
AT gladkihnt plavlenieikristallizaciâvsloistojplënočnojsistemegebi
AT dukarovsv plavlenieikristallizaciâvsloistojplënočnojsistemegebi
AT kryštalʹap plavlenieikristallizaciâvsloistojplënočnojsistemegebi
first_indexed 2023-10-18T19:59:36Z
last_indexed 2023-10-18T19:59:36Z
_version_ 1796148466961874944