Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света
В настоящей работе рассчитаны значения энергий ионов, необходимых для получения однородных слоев шестикомпонентных твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v при создании варизонных структур светодиодов, излучающих в диапазоне длин волн видимого света. Определены критерии применимости выбранного под...
Збережено в:
Дата: | 2004 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2004
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98478 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света / В.Г. Вербицкий, С.В. Осинский, А.В. Сариков // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 74–78. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-98478 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-984782016-04-16T03:01:54Z Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света Вербицкий, В.Г. Осинский, С.В. Сариков, А.В. В настоящей работе рассчитаны значения энергий ионов, необходимых для получения однородных слоев шестикомпонентных твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v при создании варизонных структур светодиодов, излучающих в диапазоне длин волн видимого света. Определены критерии применимости выбранного подхода расчета энергии ионов. Полученные результаты могут быть использованы в технологии получения светодиодных полупроводниковых структур. Розраховані значення енергій іонів, які потрібні для одержання однорідних шарів шестикомпонентних твердих розчинів InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v при створенні варизонних структур світлодіодів, випромінюючих в діапазоні довжин хвиль видимого світла. Визначені критерії застосування даного підходу для розрахунків енергій іонів. Одержані результати можуть використовуватись в технології одержання структур світлодіодів. The ion energies for growth of solid-state solutions InxGayAl1-x-yNuAsv P1-u-v are calculated. This is used for graded band structures in range of visible light emission. Criteries of ion energies calculations are considered. Calculations related to the LED structures technologies are made. 2004 Article Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света / В.Г. Вербицкий, С.В. Осинский, А.В. Сариков // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 74–78. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98478 535.37 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
description |
В настоящей работе рассчитаны значения энергий ионов, необходимых для получения однородных слоев шестикомпонентных твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v при создании варизонных структур светодиодов, излучающих в диапазоне длин волн видимого света. Определены критерии применимости выбранного подхода расчета энергии ионов. Полученные результаты могут быть использованы в технологии получения светодиодных полупроводниковых структур. |
format |
Article |
author |
Вербицкий, В.Г. Осинский, С.В. Сариков, А.В. |
spellingShingle |
Вербицкий, В.Г. Осинский, С.В. Сариков, А.В. Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света Физическая инженерия поверхности |
author_facet |
Вербицкий, В.Г. Осинский, С.В. Сариков, А.В. |
author_sort |
Вербицкий, В.Г. |
title |
Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света |
title_short |
Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света |
title_full |
Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света |
title_fullStr |
Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света |
title_full_unstemmed |
Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света |
title_sort |
ионная стимуляция получения твердых растворов inxgayal1–x–ynuasvp1–u–v для диодных источников белого света |
publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
publishDate |
2004 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98478 |
citation_txt |
Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света / В.Г. Вербицкий, С.В. Осинский, А.В. Сариков // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 74–78. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
series |
Физическая инженерия поверхности |
work_keys_str_mv |
AT verbickijvg ionnaâstimulâciâpolučeniâtverdyhrastvorovinxgayal1xynuasvp1uvdlâdiodnyhistočnikovbelogosveta AT osinskijsv ionnaâstimulâciâpolučeniâtverdyhrastvorovinxgayal1xynuasvp1uvdlâdiodnyhistočnikovbelogosveta AT sarikovav ionnaâstimulâciâpolučeniâtverdyhrastvorovinxgayal1xynuasvp1uvdlâdiodnyhistočnikovbelogosveta |
first_indexed |
2023-10-18T19:59:49Z |
last_indexed |
2023-10-18T19:59:49Z |
_version_ |
1796148476854140928 |