Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля
Исследовано влияние внешнего стационарного электрического поля и поля коронного разряда на фототок Iкз короткого замыкания аномального фотонапряжения (АФН) в гетерострукте CdTe-SiO₂ -Si в режиме “эффекта поля”. Обнаружена остаточная фоточувствительность АФН-пленки, обусловленная встроенными в диэлек...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2004
|
| Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98486 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля / С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 28–31. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-98486 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-984862016-04-16T03:01:56Z Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля Отажонов, С.М. Исследовано влияние внешнего стационарного электрического поля и поля коронного разряда на фототок Iкз короткого замыкания аномального фотонапряжения (АФН) в гетерострукте CdTe-SiO₂ -Si в режиме “эффекта поля”. Обнаружена остаточная фоточувствительность АФН-пленки, обусловленная встроенными в диэлектрик SiO₂ объемными зарядами. Анализированы механизмы инверсии знака АФН и смещения ее по спектру Iкз в зависимости от напряженности поляризующего диэлектрик электрического поля. Досліджено вплив зовнішнього стаціонарного електричного поля та поля коронного розряду на фотострум Ікз короткого замикання аномальної фотонапруги (АФН) у гетероструктурі CdTe-SіО₂ -Sі у режимі “ефекту поля”. Виявлено залишкову фоточутливість АФН-плівки, яка зумовлена вбудованими в діелектрик SіО₂ об’ємними зарядами. Проаналізованомеханізми інверсіїзнаку АФН і зсуву її по спектрі Ікз у залежності від напруженості діелектрика електричного поля, який поляризує. Influence of the external dc and discharge electric field on short circuit photocurrent Ish.c. of anomalous photo-voltage was investigated in layered heterostructure CdTeSiO₂ -Si in “field effect” mode. The residual photo-sensitivity of the AFV-film appeared due to a built-in bulk charge in SiO₂ insulator. Mechanisms of inversion of AFV sign and its dependence on an excitation wavelength is discussed and a dependence on the polarizing electric field in the insulator was explained. 2004 Article Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля / С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 28–31. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98486 621.315. 593 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Исследовано влияние внешнего стационарного электрического поля и поля коронного разряда на фототок Iкз короткого замыкания аномального фотонапряжения (АФН) в гетерострукте CdTe-SiO₂ -Si в режиме “эффекта поля”. Обнаружена остаточная фоточувствительность АФН-пленки, обусловленная встроенными в диэлектрик SiO₂ объемными зарядами. Анализированы механизмы инверсии знака АФН и смещения ее по спектру Iкз в зависимости от напряженности поляризующего диэлектрик электрического поля. |
| format |
Article |
| author |
Отажонов, С.М. |
| spellingShingle |
Отажонов, С.М. Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Отажонов, С.М. |
| author_sort |
Отажонов, С.М. |
| title |
Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля |
| title_short |
Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля |
| title_full |
Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля |
| title_fullStr |
Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля |
| title_full_unstemmed |
Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля |
| title_sort |
фоточувствительность афн – плёнок в гетероструктуре из cdte-sio₂-si под действием внешнего электрического поля |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2004 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98486 |
| citation_txt |
Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля / С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 28–31. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT otažonovsm fotočuvstvitelʹnostʹafnplënokvgeterostruktureizcdtesio2sipoddejstviemvnešnegoélektričeskogopolâ |
| first_indexed |
2023-10-18T19:59:50Z |
| last_indexed |
2023-10-18T19:59:50Z |
| _version_ |
1796148477707681792 |