О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении
Предложена новая модель АФН-пленки и новые механизмы образования АФН, на основе которых рассчитана высоковольтная фото-ЭДС при собственном и примесном фотовозбуждении. Теоретически предсказана линейная зависимость люксвольтовой характеристики при малых освещенностях, что подтверждается эксперимент...
Збережено в:
Дата: | 2005 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2005
|
Назва видання: | Физическая инженерия поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98767 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении / Ю.Ю. Вайткус, Н.Х Юлдашев, С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 219–227. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-98767 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-987672016-04-18T03:02:36Z О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении Вайткус, Ю.Ю. Юлдашев, Н.Х. Отажонов, С.М. Предложена новая модель АФН-пленки и новые механизмы образования АФН, на основе которых рассчитана высоковольтная фото-ЭДС при собственном и примесном фотовозбуждении. Теоретически предсказана линейная зависимость люксвольтовой характеристики при малых освещенностях, что подтверждается экспериментальными ЛВХ пленки CdTe:Ag в монохроматическом свете. Запропоновано нову модель АФН-плівки й нові механізми утворення АФН, на основі яких розрахована високовольтна фото-ЭДС за власного і примісного фотопорушення. Теоретично обгрунтована лінійна залежність люкс-вольтової характеристики при малих освітленнях, що підтверджується експериментальними ЛВХ плівки CdTe:Ag у монохроматичному світлі. It was offered a new model for APV film and new mechanisms of APV formation , on the basic of which high-voltage photo emf was calculated at own and admixture light excitation. Theoretically it was predicted a linear dependence of lux-voltage characteristic at low illuminations, which is confirmed by experimental LVC of the CdTe:Ag film in monochromatic light. 2005 Article О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении / Ю.Ю. Вайткус, Н.Х Юлдашев, С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 219–227. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98767 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
description |
Предложена новая модель АФН-пленки и новые механизмы образования АФН, на основе которых рассчитана высоковольтная фото-ЭДС при собственном и примесном фотовозбуждении.
Теоретически предсказана линейная зависимость люксвольтовой характеристики при малых
освещенностях, что подтверждается экспериментальными ЛВХ пленки CdTe:Ag в монохроматическом свете. |
format |
Article |
author |
Вайткус, Ю.Ю. Юлдашев, Н.Х. Отажонов, С.М. |
spellingShingle |
Вайткус, Ю.Ю. Юлдашев, Н.Х. Отажонов, С.М. О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении Физическая инженерия поверхности |
author_facet |
Вайткус, Ю.Ю. Юлдашев, Н.Х. Отажонов, С.М. |
author_sort |
Вайткус, Ю.Ю. |
title |
О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении |
title_short |
О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении |
title_full |
О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении |
title_fullStr |
О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении |
title_full_unstemmed |
О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении |
title_sort |
о механизме образования высоковольтной фото – эдс в тонких косонапыленных пленках cdte:ag при собственном и примесном поглощении |
publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
publishDate |
2005 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98767 |
citation_txt |
О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении / Ю.Ю. Вайткус, Н.Х Юлдашев, С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 219–227. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
series |
Физическая инженерия поверхности |
work_keys_str_mv |
AT vajtkusûû omehanizmeobrazovaniâvysokovolʹtnojfotoédsvtonkihkosonapylennyhplenkahcdteagprisobstvennomiprimesnompogloŝenii AT ûldaševnh omehanizmeobrazovaniâvysokovolʹtnojfotoédsvtonkihkosonapylennyhplenkahcdteagprisobstvennomiprimesnompogloŝenii AT otažonovsm omehanizmeobrazovaniâvysokovolʹtnojfotoédsvtonkihkosonapylennyhplenkahcdteagprisobstvennomiprimesnompogloŝenii |
first_indexed |
2023-10-18T20:00:28Z |
last_indexed |
2023-10-18T20:00:28Z |
_version_ |
1796148505716195328 |