2025-02-23T16:50:39-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98769%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:50:39-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98769%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:50:39-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T16:50:39-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный данный эффект в легированных пленках CdTe:...
Saved in:
Main Authors: | , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2005
|
Series: | Физическая инженерия поверхности |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98769 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
id |
irk-123456789-98769 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-987692016-04-18T03:02:22Z Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe Каримов, М.А. Юлдашев, Н.Х. Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный данный эффект в легированных пленках CdTe:In, объясняется асимметричной термополевой миграцией (ТПМ) во внутрикристаллическом поле границы зерен ионов In<sup> +i</sup> и вакансий кадмия VCd−j в процессе термической обработки. Розроблено технологію легування домішками індію полікристалічних плівок CdTe з аномальним фотовольтаїчним (АФВ) властивістю, що дозволяє збільшити фотонапругу на порядок, а струм короткого замикання більш ніж на два порядки. Уперше виявлений даний ефект у легованих плівках CdTe:In, пояснюється асиметричною термополевою міграцією (ТПМ) у внутрікристалічному полі границі зерен іонів In+i і вакансій кадмію VCd−j в процесі термічної обробки. It was developed a technology for Indium admixture doping of polycrystal films CdTe with anomalous photo-voltaic (APV) property, allowing to increase photo voltage up to 1 order and short circuit current more than up to 2 orders. Such effect in doped films CdTe:In revealed for the first time is explained by asymmetric thermo-field migration (TFM) in the boundary field of ions In+i grains and cadmium vacancies VCd−j during thermal treatment process. 2005 Article Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe / М.А. Каримов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 228–231. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98769 621.315.592 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
description |
Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с
аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение
на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный
данный эффект в легированных пленках CdTe:In, объясняется асимметричной термополевой
миграцией (ТПМ) во внутрикристаллическом поле границы зерен ионов In<sup> +i</sup> и вакансий кадмия
VCd−j в процессе термической обработки. |
format |
Article |
author |
Каримов, М.А. Юлдашев, Н.Х. |
spellingShingle |
Каримов, М.А. Юлдашев, Н.Х. Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe Физическая инженерия поверхности |
author_facet |
Каримов, М.А. Юлдашев, Н.Х. |
author_sort |
Каримов, М.А. |
title |
Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe |
title_short |
Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe |
title_full |
Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe |
title_fullStr |
Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe |
title_full_unstemmed |
Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe |
title_sort |
влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок cdte |
publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
publishDate |
2005 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98769 |
citation_txt |
Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe / М.А. Каримов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 228–231. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
series |
Физическая инженерия поверхности |
work_keys_str_mv |
AT karimovma vliânieprimesiindiânafotovolʹtaičeskiesvojstvakosonapylennyhplenokcdte AT ûldaševnh vliânieprimesiindiânafotovolʹtaičeskiesvojstvakosonapylennyhplenokcdte |
first_indexed |
2023-10-18T20:00:28Z |
last_indexed |
2023-10-18T20:00:28Z |
_version_ |
1796148505926959104 |