2025-02-23T16:50:39-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98769%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:50:39-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-98769%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:50:39-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T16:50:39-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe

Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный данный эффект в легированных пленках CdTe:...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Каримов, М.А., Юлдашев, Н.Х.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2005
Series:Физическая инженерия поверхности
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98769
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-98769
record_format dspace
spelling irk-123456789-987692016-04-18T03:02:22Z Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe Каримов, М.А. Юлдашев, Н.Х. Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный данный эффект в легированных пленках CdTe:In, объясняется асимметричной термополевой миграцией (ТПМ) во внутрикристаллическом поле границы зерен ионов In<sup> +i</sup> и вакансий кадмия VCd−j в процессе термической обработки. Розроблено технологію легування домішками індію полікристалічних плівок CdTe з аномальним фотовольтаїчним (АФВ) властивістю, що дозволяє збільшити фотонапругу на порядок, а струм короткого замикання більш ніж на два порядки. Уперше виявлений даний ефект у легованих плівках CdTe:In, пояснюється асиметричною термополевою міграцією (ТПМ) у внутрікристалічному полі границі зерен іонів In+i і вакансій кадмію VCd−j в процесі термічної обробки. It was developed a technology for Indium admixture doping of polycrystal films CdTe with anomalous photo-voltaic (APV) property, allowing to increase photo voltage up to 1 order and short circuit current more than up to 2 orders. Such effect in doped films CdTe:In revealed for the first time is explained by asymmetric thermo-field migration (TFM) in the boundary field of ions In+i grains and cadmium vacancies VCd−j during thermal treatment process. 2005 Article Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe / М.А. Каримов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 228–231. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98769 621.315.592 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный данный эффект в легированных пленках CdTe:In, объясняется асимметричной термополевой миграцией (ТПМ) во внутрикристаллическом поле границы зерен ионов In<sup> +i</sup> и вакансий кадмия VCd−j в процессе термической обработки.
format Article
author Каримов, М.А.
Юлдашев, Н.Х.
spellingShingle Каримов, М.А.
Юлдашев, Н.Х.
Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
Физическая инженерия поверхности
author_facet Каримов, М.А.
Юлдашев, Н.Х.
author_sort Каримов, М.А.
title Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
title_short Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
title_full Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
title_fullStr Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
title_full_unstemmed Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
title_sort влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок cdte
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2005
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98769
citation_txt Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe / М.А. Каримов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 228–231. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT karimovma vliânieprimesiindiânafotovolʹtaičeskiesvojstvakosonapylennyhplenokcdte
AT ûldaševnh vliânieprimesiindiânafotovolʹtaičeskiesvojstvakosonapylennyhplenokcdte
first_indexed 2023-10-18T20:00:28Z
last_indexed 2023-10-18T20:00:28Z
_version_ 1796148505926959104